[发明专利]具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法

说明书

本申请涉及一种具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法，所述晶体管连接于电压节点与负载节点之间，其中所述晶体管包含：覆盖具有第一导电性类型的半导体的电介质；覆盖所述电介质的导体；形成于所述半导体中并且具有第二导电性类型的第一延伸区域基底和第二延伸区域基底；形成为覆盖相应第一延伸区域基底和第二延伸区域基底并且具有所述第二导电性类型的第一延伸区域竖件和第二延伸区域竖件；以及形成于相应第一延伸区域竖件和第二延伸区域竖件中并且具有所述第二导电性类型的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的导电性水平大于其相应延伸区域竖件的导电性水平。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，并且具体地，在一或多个实施例中，本公开涉及含有具有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法。

背景技术

存储器(例如，存储器装置)通常以内部半导体集成电路装置的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闪存。

闪存已经发展成为广泛的电子应用的非易失性存储器的流行来源。闪存通常使用单晶体管存储器单元，所述单晶体管存储器单元可以实现高存储器密度、高可靠性和低功耗。通过对电荷储存结构(例如，浮栅或电荷陷阱(charge trap))进行编程(通常被称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)实现的存储器单元的阈值电压(Vt)的变化决定了每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。闪存和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线装置、移动电话和可移除存储器模块，并且非易失性存储器的用途继续扩展。

与非(NAND)闪存是一种常见的闪存装置，其由于基本存储器单元配置被布置的逻辑形式而如此命名。通常，与非闪存的存储器单元阵列被布置成使得阵列的行的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成如字线等存取线。阵列的列包含在一对选择门(例如，源极选择晶体管和漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元串(通常被称为与非串)。每个源极选择晶体管可以连接到源极，而每个漏极选择晶体管可以连接到数据线，如列位线。已知的是，在存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间使用一个以上选择门来实现改变。

在存储器装置中，对存储器单元的存取(例如，对存储器单元进行编程)通常利用传递到那些存储器单元的控制栅极的高电压电平，所述高电压电平可能超过20V。对此类电压电平进行选通通常依赖于具有高击穿电压的晶体管，如场效应晶体管(FET)。一种用于产生具有高击穿电压的晶体管的技术在晶体管的源极/漏极区域与控制栅极之间使用轻掺杂区域。此区域有时被称为延伸区域。此类晶体管通常要求集成电路装置被制造的衬底的表面积相对较大。

发明内容