[发明专利]用于减少用于刷新存储器模块上的存储器设备的功耗的方法和装置

权利要求书

1.一种存储器控制器，包括：

动态随机存取存储器(DRAM)接口，其用于在总线上将数据传输到存储器模块，所述存储器模块包括至少两个子通道，每个子通道包括多个DRAM设备；

第一刷新模式寄存器，其用于存储所述存储器模块的第一子通道的第一刷新率；

第二刷新模式寄存器，其用于存储所述存储器模块的第二子通道的第二刷新率；以及

存储器模块刷新模式控制器，其用于基于从所述第一子通道中的第一热传感器读取的第一温度来修改所述第一刷新率，并且基于从所述第一子通道中的第二热传感器读取的第二温度来修改所述第二刷新率。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述第一刷新率是1x刷新率或2x刷新率。

3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述第一热传感器用于经由标准I3C串行总线或系统管理总线(SMBus)中的一个耦合到所述存储器控制器。

4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器模块刷新模式控制器用于定期地读取所述第一热传感器中的寄存器以确定所述第一温度是高于高温度还是低于低温度。

5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中，所述低温度为85℃或更低，并且所述高温度大于85℃。

6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述DRAM接口是双倍数据速率(DDR)高速DRAM接口。

7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述第一温度与所述第二温度之间的差大于13℃。

8.一种方法，包括：

通过动态随机存取存储器(DRAM)接口，在总线上将数据传输到存储器模块，所述存储器模块包括至少两个子通道，每个子通道包括多个DRAM设备；

将所述存储器模块的第一子通道的第一刷新率存储在第一刷新模式寄存器中；

将所述存储器模块的第二子通道的第二刷新率存储在第二刷新模式寄存器中；以及

由存储器模块刷新模式控制器基于从所述第一子通道中的第一热传感器读取的第一温度来修改所述第一刷新率；以及

由所述存储器模块刷新模式控制器基于从所述第一子通道中的第二热传感器读取的第二温度来修改所述第二刷新率。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一刷新率是1x刷新率或2x刷新率。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

经由标准I3C串行总线或系统管理总线(SMBus)中的一个访问所述第一热传感器和所述第二热传感器。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

由所述存储器模块刷新模式控制器定期地读取所述第一热传感器中的寄存器，以确定所述第一温度是高于高温度还是低于低温度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述低温度为85℃或更低，并且所述高温度大于85℃。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述DRAM接口是双倍数据速率(DDR)高速DRAM接口。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一温度和所述第二温度之间的差大于13℃。

15.一种包括用于执行根据权利要求8至14中的任一项所述的方法的单元的装置。