[发明专利]半导体集成电路以及存储器

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：经由列选择模块与位线连接的第一数据线以及经由列选择模块与互补位线连接的第一互补数据线，第二数据线，参考数据线，所述参考数据线用于提供参考基准信号，还包括：

本地读写转换模块，响应于读写控制信号，在读写操作期间，所述第一数据线与所述第二数据线之间传输数据，所述第一互补数据线与所述第二数据线之间传输数据；

放大模块，用于接收所述第二数据线的数据信号以及所述参考基准信号，对所述第二数据线的数据信号进行放大，所述参考基准信号作为放大所述第二数据线的数据信号的参考基准。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述参考数据线具有固定电位。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，还包括：参考基准模块，响应于所述读写控制信号中的读取控制信号，向所述参考数据线输出所述参考基准信号，在读操作期间，所述参考基准模块具有放电特性，以使所述参考基准信号的电位逐渐降低。

4.如权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，在所述读操作期间，所述第二数据线由第一电平降低为第二电平的过程中，所述本地读写转换模块具有第一放电速度；在所述读操作期间，所述参考基准模块具有第二放电速度，且所述第二放电速度小于所述第一放电速度。

5.如权利要求3或4所述的半导体集成电路，其特征在于，还包括：用于提供参考控制信号的参考控制线，且所述参考基准模块与所述参考控制线连接，所述参考基准模块响应于所述读取控制信号以及所述参考控制信号，向所述参考数据线输出所述参考基准信号。

6.如权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于，所述参考基准模块具有第一端口、第二端口、第三端口以及第四端口，所述第一端口接收所述读取控制信号，所述第二端口连接所述参考数据线，所述第三端口接地，所述第四端口接收所述参考控制信号，所述参考基准模块响应于所述读取控制信号以及所述参考控制信号，使第二端口与所述第三端口之间放电，以使所述参考数据线的电位逐渐降低。

7.如权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于，所述参考基准模块包括：第一开关单元，所述第一开关单元与所述第一端口以及所述第三端口连接，所述第一开关单元具有第一节点，所述第一开关单元响应于所述读取控制信号以导通使所述第一节点与所述第三端口连接；第二开关单元，所述第二开关单元与所述第二端口以及所述第四端口连接，所述第二开关单元具有第二节点，所述第二节点与所述第一节点连接，所述第二开关单元响应于所述参考控制信号以导通使所述第二端口与所述第二节点连接。

8.如权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于，所述本地读写转换模块包括：本地读取单元，响应于所述读写控制信号中的读取控制信号，在读取操作期间，将所述第一数据线或者所述第一互补数据线的数据信号传输至所述第二数据线；所述本地读取单元包括至少2个本地晶体管，所述参考基准模块包括至少1个参考晶体管，且至少一个参考晶体管的导通能力小于所述本地晶体管的导通能力。

9.如权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，每一所述参考晶体管的沟道宽度均小于所述本地晶体管的沟道宽度。

10.如权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，所述至少2个本地晶体管包括：本地读取控制管，响应于所述读取控制信号导通，且所述本地读取控制管的一个端口接地；本地读取传输管，响应于所述第一互补数据线的数据信号导通，使所述第二数据线经由所述本地读取传输管以及所述本地读取控制管接地；

所述至少1个参考晶体管包括：参考控制管，响应于所述读取控制信号导通，使所述参考数据线经由所述参考控制管接地，且所述参考控制管的沟道宽度小于所述本地读取控制管的沟道宽度。