[发明专利]异质结电池、制备方法及异质结电池组件

权利要求书

1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括：

硅片，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括若干第一区域和第二区域，所述第二表面包括若干第三区域和第四区域，所述第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层上的第一透明导电层、位于第一n型非晶硅层上的第二透明导电层、位于第二n型非晶硅层上的第三透明导电层、及位于第二p型非晶硅层上的第四透明导电层；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层和第四透明导电层上的第一电极及位于第二透明导电层和第三透明导电层上的第二电极。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层厚度相等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层厚度相等；和/或，第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层厚度相等，第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层厚度相等。

3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一区域和第二区域的个数和/或面积相等，第三区域和第四区域的个数和/或面积相等。

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间形成有绝缘区。

5.根据权利要求4所述的异质结电池，其特征在于，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间、全部或部分第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层之间、全部或部分第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层之间形成有绝缘区。

6.根据权利要求4或5所述的异质结电池，其特征在于，所述绝缘区为绝缘槽，所述绝缘槽的宽度小于或等于100μm。

7.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括若干第一区域和第二区域，第二表面包括若干第三区域和第四区域，第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

在硅片上生长非晶硅层，包括：在第一区域上生长第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层，在第二区域上生长第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层，在第三区域上生长第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层，在第四区域上生长第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

在非晶硅层上沉积透明导电层，包括：在第一p型非晶硅层、第一n型非晶硅层、第二n型非晶硅层、及第二p型非晶硅层上沉积透明导电层；

在透明导电层上形成电极。

8.根据权利要求7所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，“在硅片上生长非晶硅层”具体为：

对第二区域进行掩膜保护，在第一区域上依次沉积第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层；

对第一区域进行掩膜保护，在第二区域上依次沉积第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层；

对第四区域进行掩膜保护，在第三区域上依次沉积第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层；

对第三区域进行掩膜保护，在第四区域上依次沉积第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层。