[发明专利]异质结电池、制备方法及异质结电池组件

说明书

本发明揭示了一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本发明中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。

技术领域

本发明属于光伏电池技术领域，具体涉及一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件。

背景技术

异质结电池(HIT，Hetero-junctionwith Intrinsic Thin-layer，又称HJT)，是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，具有制备过程简单、工艺温度低、开路电压高、光电转换效率高、温度系数低等诸多优点，是目前应用最广的高效晶硅太阳能技术之一。

参图1所示，现有技术中的异质结电池10包括n型硅片100、分别设置在n型硅片的相对两端面上的本征非晶硅层(α-Si:H(i))111、112、分别设置在两面的本征非晶硅层上的p型非晶硅层(α-Si:H(p))121和n型非晶硅层(α-Si:H(n))122、分别设置在p型非晶硅层和n型非晶硅层上的透明导电层(TCO层)131、132以及分别设置在两面的透明导电层上的栅电极141、142。

结合图2所示，HIT电池封装为组件是采用整片互连，电池进行正、负极互连时，焊带101必须上下绕行，电池片间必须留空一段间距，减小了组件的有效发电面积；焊带上下绕行导致焊带长度较长，电阻发热导致的焦耳损耗较大；随着硅片片厚度的逐渐减薄，焊带焊接过程中电池片碎片率较高，增加了组件产品生产过程中的电池片损耗。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种异质结电池，所述异质结电池包括：

硅片，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括若干第一区域和第二区域，所述第二表面包括若干第三区域和第四区域，所述第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；

非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；

透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层上的第一透明导电层、位于第一n型非晶硅层上的第二透明导电层、位于第二n型非晶硅层上的第三透明导电层、及位于第二p型非晶硅层上的第四透明导电层；

电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层和第四透明导电层上的第一电极及位于第二透明导电层和第三透明导电层上的第二电极。

一实施例中，所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层厚度相等，第三本征非晶硅层和第四本征非晶硅层厚度相等；和/或，第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层厚度相等，第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层厚度相等。

一实施例中，所述第一区域和第二区域的个数和/或面积相等，第三区域和第四区域的个数和/或面积相等。

一实施例中，所述第一p型非晶硅层和第一n型非晶硅层之间、第二p型非晶硅层和第二n型非晶硅层之间、第一透明导电层和第二透明导电层之间、第三透明导电层和第四透明导电层之间形成有绝缘区。