[发明专利]一种晶圆锡球印刷工艺有效
申请号: | 202010568384.2 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111668125B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆锡球 印刷 工艺 | ||
1.一种晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,包括以下步骤:
在所述晶圆的一端面布置介电层,并在所述晶圆的一端面进行溅镀,在所述介电层上形成金属层;
在所述金属层上涂布第一光阻层,进行曝光与显影;
去除所述第一光阻层的保护区外的金属层,然后去除所述第一光阻层;
将所述晶圆的一端面键合在玻璃载板上;
在所述玻璃载板的非键合端面上涂布第二光阻层,曝光显影,在所述玻璃载板上形成贯通的窗口,并使得所述金属层暴露出来;
去除所述第二光阻层;
在所述窗口内涂布第三光阻层,经过曝光与显影,在第三光阻层上形成贯通至所述金属层的通槽;
将锡膏印刷于所述通槽中,并去除所述第三光阻层;
喷洒助焊剂,加热形成锡球。
2.根据权利要求1所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,第一光阻层、第二光阻层与第三光阻层均通过氧电浆或有机溶剂去除。
3.根据权利要求1所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,所述金属层的材质为铜或钛。
4.根据权利要求1所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,在将所述晶圆键合在所述玻璃载板上之后,涂布第二光阻层之前,通过研磨或蚀刻减薄晶圆厚度。
5.根据权利要求4所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,经过减薄后,所述晶圆的厚度为20~100微米。
6.根据权利要求1所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,形成所述锡球后,通过电浆切割所述晶圆的一端面,而后通过激光镭射加热使得所述晶圆与所述玻璃载板解键合。
7.根据权利要求1所述的晶圆锡球印刷工艺,其特征在于,所述窗口处的玻璃载板的厚度不大于所述锡球的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造