[发明专利]一种晶圆锡球印刷工艺有效
申请号: | 202010568384.2 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111668125B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆锡球 印刷 工艺 | ||
本发明公开了一种晶圆锡球印刷工艺,属于晶圆加工领域。一种晶圆锡球印刷工艺,包括以下步骤:对所述晶圆的一端面进行溅镀,形成金属层;在所述金属层上涂布第一光阻层,进行曝光与显影;去除所述第一光阻层的保护区外的金属层,然后去除所述第一光阻层;将所述晶圆的另一端面键合在玻璃载板上;在所述玻璃载板的非键合端面上涂布第二光阻层;去除所述第二光阻层;在所述窗口内涂布第三光阻层,经过曝光与显影,在第三光阻层上形成贯通至所述金属层的通槽;将锡膏印刷于所述通槽中,并去除所述第三光阻层;喷洒助焊剂,加热形成锡球。相对于传统的锡球印刷工艺,此种工艺突破了传统锡球印刷工艺对晶圆厚度的限制,能够适用于更薄的晶圆。
技术领域
本发明涉及晶圆加工领域,具体涉及一种晶圆锡球印刷工艺。
背景技术
在高电流的功率器件设计中,由于单位时间输入/出的电流强度很大,因此需要使用大面积或高度的锡球(Bump)提升产品的可靠性,但在实际制造工艺中,若先以印刷方式在晶圆正面做完高段差的锡球后,再做反面的减薄及金属工艺势必难此运行。因此,必须先做完减薄工程后,再翻转至正面进行印刷锡球的制程。
由于薄晶圆必须承受印刷锡膏时机械式的压力,因此被加工晶圆不能太薄,最低大约在175~200um。然而为了降低阻抗、减少热产生速度,元件必须将厚度降低到100um以下,甚至要到40~50um。所以,现有的工艺已经远远不能满足性能需求。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提出了一种晶圆锡球印刷工艺。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种晶圆锡球印刷工艺,包括以下步骤:
在所述晶圆的一端面布置介电层,并在所述晶圆的一端面进行溅镀,在所述介电层上形成金属层;
在所述金属层上涂布第一光阻层,进行曝光与显影;
去除所述第一光阻层的保护区外的金属层,然后去除所述第一光阻层;
将所述晶圆的一端面键合在玻璃载板上;
在所述玻璃载板的非键合端面上涂布第二光阻层,曝光显影,在所述玻璃载板上形成贯通的窗口,并使得所述金属层暴露出来;
使用氧电浆或有机溶剂去除所述第二光阻层;
在所述窗口内涂布第三光阻层,经过曝光与显影,在第三光阻层上形成贯通至所述金属层的通槽;
将锡膏印刷于所述通槽中,并去除所述第三光阻层;
喷洒助焊剂,加热形成锡球。
进一步地,第一光阻层、第二光阻层与第三光阻层均通过氧电浆或有机溶剂去除。
进一步地,所述金属层的材质为铜或钛。
进一步地,在将所述晶圆键合在所述玻璃载板上之后,涂布第二光阻层之前,通过研磨或蚀刻减薄晶圆厚度。
进一步地,经过减薄后,所述晶圆的厚度为20~100微米。
进一步地,形成所述锡球后,通过电浆切割所述晶圆的一端面,而后通过激光镭射加热使得所述晶圆与所述玻璃载板解键合。
本发明的有益效果:
由于在印刷锡膏之前,晶圆已经键合在玻璃载板上,并通过在玻璃载板上开设窗口进行印刷操作。由于玻璃载板提供刚性支撑,因此,使得晶圆能够承受印刷或印刷锡膏时的机械压力,突破了传统锡球印刷工艺对晶圆厚度的限制。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本申请中涂布完第一光阻层的工艺结构局部剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造