[发明专利]一种星载固态存储器及边记边擦的数据处理方法

权利要求书

1.一种星载固态存储器，其特征在于，包括FPGA(1)和A个FLASH芯片(2)，所述FPGA(1)用于对FLASH芯片(2)进行读写操作和擦除操作，A个FLASH芯片(2)为并行级联；

每一个FLASH芯片(2)内部封装有B个并联的基片(3)，B个并联的基片(3)共用一个I/O口；每一个基片(3)内部封装有两个并联的子基片(4)，两个子基片(4)共用一个对外管脚；

星载固态存储器的数据处理方法为：

步骤1，FPGA(1)同时对每一个FLASH芯片(2)的第1个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第1+M个子基片(4)进行擦除操作；

步骤2，FPGA(1)同时对每一个FLASH芯片(2)的第2个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第2+M个子基片(4)进行擦除操作；

步骤3，FPGA(1)对每一个FLASH芯片(2)的第N个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第N+M个子基片(4)进行擦除操作，当N+M大于2B时，擦除的为第N+M-2B个子基片(4)；其中，N≤2B，M为写入操作的子基片(4)与擦除操作的子基片(4)之间的间隔数量；

M∈[M_min,M_max](1)其中M_min、M_max分别为满足记录速率条件的M最小值与最大值；

步骤4，重复步骤3，至每一个FLASH芯片(2)中所有的子基片(4)完成写操作；

步骤5，重复步骤1-步骤4，至存储结束。

2.根据权利要求1所述的一种星载固态存储器，其特征在于，一个基片(3)中通过块地址区分两个子基片(4)。

3.根据权利要求1所述的一种星载固态存储器，其特征在于，每一个子基片(4)中包含4096个块，每一块中包含64页。

4.根据权利要求1所述的一种星载固态存储器，其特征在于，B个并联的基片(3)中，每一个基片(3)具有独立的片选信号和读写信号。

5.一种基于权利要求1所述星载固态存储器的边记边擦的数据处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，FPGA(1)同时对每一个FLASH芯片(2)的第1个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第1+M个子基片(4)进行擦除操作；

步骤2，FPGA(1)同时对每一个FLASH芯片(2)的第2个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第2+M个子基片(4)进行擦除操作；

步骤3，FPGA(1)对每一个FLASH芯片(2)的第N个子基片(4)进行写操作时，对每一个FLASH芯片(2)的第N+M个子基片(4)进行擦除操作，当N+M大于2B时，擦除的为第N+M-2B个子基片(4)；其中，N≤2B，M为写入操作的子基片(4)与擦除操作的子基片(4)之间的间隔数量；

M∈[M_min,M_max](1)其中M_min、M_max分别为满足记录速率条件的M最小值与最大值；

步骤4，重复步骤3，至每一个FLASH芯片(2)中所有的子基片(4)完成写操作；

步骤5，重复步骤1-步骤4，至存储结束。

6.根据权利要求5所述的边记边擦的数据处理方法，其特征在于，所述写操作的过程为：

(1)给一个子基片(4)发送写操作指令字与地址；

(2)给所述子基片(4)发送2KB数据；

(3)给所述子基片(4)发送写操作结束指令字；

(4)所述子基片(4)进入编程阶段，2KB数据写入子基片(4)中。

7.根据权利要求5所述的边记边擦的数据处理方法，其特征在于，所述擦除操作的过程为：

(1)给一个子基片(4)发送擦除操作指令字与擦除地址；

(2)延时。