[发明专利]一种星载固态存储器及边记边擦的数据处理方法

说明书

本发明公开了一种星载固态存储器及边记边擦的数据处理方法，该存储器包括FPGA和FLASH芯片(2)，所有的FLASH芯片(2)为并行级联，并联的基片能共用一个I/O口，一个基片中的两个子基片共用一个对外管脚，使得所有的FLASH芯片(2)能够同时进行读写操作，该结构中没有增加SRAM等存储器即可解决同时记录和擦除的过程，该结构中的FLASH模块组合后FLASH模块的容量得到充分利用，提高了固态存储器的可靠性，没有增加SRAM存储器节约了成本。

【技术领域】

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种星载固态存储器及边记边擦的数据处理方法。

【背景技术】

星载固态存储器主要工作模式为记录、回放、擦除，传统卫星在编排固态存储器在轨使用指令时，通常先停止记录模式，再启动擦除操作，待擦除操作完成后再重新启动记录操作，即固态存储器的擦除操作与记录操作是无法同时进行的。随着任务复杂度提升，部分卫星载荷要求持续生成数据，以往固存停止记录后再进行擦除操作或回放操作的任务调度模式已经不能够满足应用要求。目前边记边擦策略实现大多采用分时复用策略，该策略要求具备能够满足要求的SRAM等存储器，对数据进行缓存，增加SRAM等存储器伴随而来的是成本的提高，尤其是对于宇航级等高等级元器件价格高昂，而且通常存在禁运的问题，对于降低成本以及保障自主可控意义重大。

【发明内容】

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种星载固态存储器及边记边擦的数据处理方法；针对目前星载固态存储器实现边记边擦功能大多采用分时复用策略，增加SRAM等存储器，成本较高的问题。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种星载固态存储器，包括FPGA和A个FLASH芯片，所述FPGA用于对FLASH芯片进行读写操作和擦除操作，A个FLASH芯片为并行级联；

每一个FLASH芯片内部封装有B个并联的基片，B个并联的基片共用一个I/O口；每一个基片内部封装有两个并联的子基片，两个子基片共用一个对外管脚。

本发明的进一步改进在于：

优选的，一个基片中通过块地址区分两个子基片。

优选的，每一个子基片中包含4096个块，每一块中包含64页。

优选的，B个并联的基片中，每一个基片具有独立的片选信号和读写信号。

一种基于上述星载固态存储器的边记边擦的数据处理方法，包括以下步骤：

步骤1，FPGA同时对每一个FLASH芯片的第1个子基片进行写操作时，对每一个FLASH芯片的第1+M个子基片进行擦除操作；

步骤2，FPGA同时对每一个FLASH芯片的第2个子基片进行写操作时，对每一个FLASH芯片的第2+M个子基片进行擦除操作；

步骤3，FPGA对每一个FLASH芯片的第N个子基片进行写操作时，对每一个FLASH芯片的第N+M个子基片进行擦除操作，当N+M大于2B时，擦除的为第M-(2B-N)个子基片；其中，N≤2B，M为写入操作的子基片与擦除操作的子基片之间的间隔数量；

M∈[M_min,M_max]      (1)

其中M_min、M_max分别为满足记录速率条件的M最小值与最大值；

步骤4，重复步骤3，至每一个FLASH芯片中所有的子基片完成写操作；

步骤5，重复步骤1-步骤4，至存储结束。

优选的，所述写操作的过程为：

(1)给一个子基片发送写操作指令字与地址；