[发明专利]一种增强MOSFET可靠性的方法、设备、计算机设备和介质

权利要求书

1.一种增强MOSFET可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

检测所述MOSFET的环境温度，并将所述环境温度与阈值温度进行比较；

响应于所述环境温度不小于所述阈值温度，将所述环境温度转换为电信号；

将所述电信号传输到Charge Pump模块中以根据所述电信号使所述Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；

将所述Charge Pump模块的输出电压输入到所述MOSFET的Gate driver模块中以使所述MOSFET开启速度变慢。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阈值温度为所述MOSFET在热插拔过程中被击穿时的环境温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，检测所述MOSFET的环境温度包括：

使用热敏电阻和电源测量所述环境温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

响应于所述环境温度超过所述阈值温度特定范围，将所述电信号传输到所述Gatedriver模块中以使所述MOSFET关闭。

5.一种增强MOSFET可靠性的设备，其特征在于，所述设备包括：

比较模块，所述比较模块配置为检测所述MOSFET的环境温度，并将所述环境温度与阈值温度进行比较；

转换模块，所述转换模块配置为响应于所述环境温度不小于所述阈值温度，将所述环境温度转换为电信号；

传输模块，所述传输模块配置为将所述电信号传输到Charge Pump模块中以根据所述电信号使所述Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；

输入模块，所述输入模块配置为将所述Charge Pump模块的输出电压输入到所述MOSFET的Gate driver模块中以使所述MOSFET开启速度变慢。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述阈值温度为所述MOSFET在热插拔过程中被击穿时的环境温度。

7.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述比较模块还配置为使用热敏电阻和电源测量所述环境温度。

8.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，还包括关闭模块，所述关闭模块配置为响应于所述环境温度超过所述阈值温度特定范围，将所述电信号传输到所述Gate driver模块中以使所述MOSFET关闭。

9.一种计算机设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；以及

存储器，所述存储器存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时执行如权利要求1-4任意一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时执行权利要求1-4任意一项所述的方法。