[发明专利]一种增强MOSFET可靠性的方法、设备、计算机设备和介质

说明书

本发明提供了一种增强MOSFET可靠性的方法和设备，该方法包括以下步骤：检测MOSFET的环境温度，并将环境温度与阈值温度进行比较；响应于环境温度不小于阈值温度，将环境温度转换为电信号；将电信号传输到Charge Pump模块中以根据该电信号使Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；将Charge Pump模块的输出电压输入到MOSFET的Gate driver模块中以使MOSFET开启速度变慢。通过使用本发明的方案，能够使得热插拔过程中系统浪涌电流减小，保证MOSFET在高温环境下，也能工作在SOA的安全区域，减小被击穿的概率。

技术领域

本领域涉及计算机领域，并且更具体地涉及一种增强MOSFET可靠性的方法、设备、计算机设备和介质。

背景技术

伴随云计算应用的发展，信息化逐渐覆盖到社会的各个领域。人们的日常工作生活越来越多的通过网络来进行交流，网络数据量也在不断增加。Rack整机柜服务器也逐步在数据中心大规模应用。因此，RACK整机柜中的服务器热插拔维护显得尤为突出。

节点服务器进行热插拔维护时，可能导致热插拔开启MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)过程中，MOSFET温度过高进而造成烧坏的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种增强MOSFET可靠性的方法和设备，通过使用本发明的方法，能够使得热插拔过程中系统浪涌电流减小，保证MOSFET在高温环境下，也能工作在SOA的安全区域，减小被击穿的概率。

基于上述目的，本发明的实施例的一个方面提供了一种增强MOSFET可靠性的方法，包括以下步骤：

检测MOSFET的环境温度，并将环境温度与阈值温度进行比较；

响应于环境温度不小于阈值温度，将环境温度转换为电信号；

将电信号传输到Charge Pump(电荷泵)模块中以根据该电信号使Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；

将Charge Pump模块的输出电压输入到MOSFET的Gate driver(门极驱动)模块中以使MOSFET开启速度变慢。

根据本发明的一个实施例，阈值温度为MOSFET在热插拔过程中被击穿时的环境温度。

根据本发明的一个实施例，检测MOSFET的环境温度包括：

使用热敏电阻和电源测量环境温度。

根据本发明的一个实施例，还包括：

响应于环境温度超过阈值温度特定范围，将电信号传输到Gate driver模块中以使MOSFET关闭。

本发明的实施例的另一个方面，还提供了一种增强MOSFET可靠性的设备，设备包括：

比较模块，比较模块配置为检测MOSFET的环境温度，并将环境温度与阈值温度进行比较；

转换模块，转换模块配置为响应于环境温度不小于阈值温度，将环境温度转换为电信号；

传输模块，传输模块配置为将电信号传输到Charge Pump模块中以根据该电信号使Charge Pump模块的输出电压上升沿变长；

输入模块，输入模块配置为将Charge Pump模块的输出电压输入到MOSFET的Gatedriver模块中以使MOSFET开启速度变慢。

根据本发明的一个实施例，阈值温度为MOSFET在热插拔过程中被击穿时的环境温度。

根据本发明的一个实施例，比较模块还配置为使用热敏电阻和电源测量环境温度。