[发明专利]一种新的温度控制方法在审
| 申请号： | 202010570912.8 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113805621A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 刘浪;张军峰 | 申请（专利权）人： | 刘浪;深圳市留影科技有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市岳*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 控制 方法 | ||
1.一种新的温度控制方法，包括桥堆BR1，发热丝R1，控制开关Q1，PWM控制器U1控制Q1的栅极，以及其他一个或者多个发热丝和控制开关的组合。
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，控制系统包含连续控制部分和分段控制部分，连续控制部分包括桥堆BR1、发热丝R1、控制开关Q1，
桥堆的交流输入两端接在电源交流输入的两端；R1和Q1串联后接在BR1的的正负输出端，此时R1和Q1的位置可以交换；Q1可以使用N沟道MOSFET或其他半导体功率开关如IGBT、功率三极管等，它的S极应更靠近馒头波的负端，PWM控制器U1控制Q1的开通与关断，
分段控制部分包括多个发热丝和控制开关的串联组合，这些串联组合并联在交流输入的两端。
3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，控制系统包含连续控制部分和分段控制部分，连续控制部分包括桥堆BR1，桥堆的交流输入端串联发热丝R1后接在交流输入的两端，控制开关Q1串联后接在BR1的馒头波输入的正负两端，Q1可以使用N沟道MOSFET或其他半导体功率开关如IGBT、功率三极管等，它的S极更靠近馒头波的负端，PWM控制器U1控制Q1的开通与关断，
分段控制部分包括多个发热丝和控制开关的串联组合，这些串联组合并联在交流输入的两端。
4.根据权利要求1或2所述的温度控制方法，其特征在于，控制开关工作在高频的工作模式，利用发热丝本身具有的寄生电感或单独串联电感进来，再增加一个容量较小的滤波电容就可以滤除高频产生的电流波动。
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