[发明专利]一种新的温度控制方法在审
申请号: | 202010570912.8 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN113805621A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 刘浪;张军峰 | 申请(专利权)人: | 刘浪;深圳市留影科技有限公司 |
主分类号: | G05D23/19 | 分类号: | G05D23/19 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙市岳*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 控制 方法 | ||
本发明公开了一种温度控制方法,将温度控制采用分档控制和连续控制相结合的方式,以实现全功率范围内温度连续可调的功能。其中连续控制部分包括一个二极管桥堆,一个滤波电容,发热丝,一个MOSFET;分档控制则包含一系列的加热丝及相应的控制开关(比如继电器),加热和相应的控制开关串联后直接接在交流输入电源上。上述的连续控制部分,MOSFET的驱动信号采高频的脉冲宽度调制控制,通过调节脉冲的占空比进行开关调制以达到连续功率可调的目的。当需要的功率超出连续可调部分的时候,分档级联部分同步并网参与更大功率范围的调节过程连续部分和分档部分配合工作可以实现大功率的恒温控制。
技术领域
本发明涉及一种温度控制方法,尤其是一种连续可调的温度控制方法。
背景技术
现在通用的恒温控制是采用双向晶闸管。如下图所示电路为另一种双向晶闸管温度控制电路。图1中RL为电炉丝,它与晶闸管V串联,VD1、VD2、RP组成触发电路。调节RP可改变V的导通角,使加热丝R1两端的电压有效值在0~220V内无级变化,因此能达到控制炉温的目的。
但是采用晶闸管控制温度,会产生高次谐波,使电网电压波形畸变,严重干扰电网。
发明内容
为了克服晶闸管温度控制导致的电网谐波污染的问题,本发明提供一种采用高频开关控制电路,来进行温度控制;采用分段式的开关,来减少高频开关电路导致的损耗,及相应的滤波电路的尺寸。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种温度控制方法,将温度控制采用分档控制和连续控制相结合的方式。
其中连续控制部分包括一个二极管桥堆,一个滤波电容,发热丝,一个金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)及相应的MOSFET驱动,二极管桥堆将交流电压源转换成馒头波,加热丝和MOSFET串联后接在馒头波的正负输出两端,其N沟道的MOSFET的S级更靠近馒头波的负极。
分段控制则包含一系列的加热丝及相应的控制开关(比如继电器),加热和相应的控制开关串联后直接接在交流输入电源上。
上述的连续控制部分,MOSFET的驱动信号采高频的脉冲宽度调制(PWM)控制,不同的PWM的占空比会产生不同的MOSFET的导通及关断的时间,从而可以调节功率;连续可调的占空比就可以产生连续可调的功率。
而当需要的功率超出连续可调部分的时候,分段调节部分参入调节过程,闭合相应的继电器则可以增加更大的功率。
本发明的有益效果是,新的温度控制器对电网污染小,效率高,还可以实现温度的无极调节。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为晶闸管温度控制示意图
图2为本发明示意图;
图3为本发明示意图的一个变种。
图2中V1为交流输入电源(通常为市电),BR1为桥堆,C1为高频滤波电容,R1为连续控制中的发热丝,Q1为连续控制开关MOSFET,U1为PWM控制信号,R2为分段控制发热丝,S1为R2对应的的控制开关,R3为另外一分段控制发热丝,S2对应R3的控制开关,还可以有更多的发热丝及对应的控制开关,图中就不一一表示了。
具体实施方式
在下文中,将参照所附的说明性示图详细描述本公开的一些实施方式。在用附图标记指示附图的元件时,尽管相同的元件在不同的附图中示出,但相同的元件将由相同的附图标记表示。此外,在本公开的以下描述中,在有可能使本公开的主题不清楚的情况下,将省略对并入于本文中的已知功能和配置的详细描述。
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