[发明专利]半导体设备及其工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体设备的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室内设置有可升降的基座，所述基座用于承载晶圆；

所述基座上沿周向均布有多个导向滑块，所述导向滑块能沿所述基座的径向滑动；

所述工艺腔室内壁上设置有盖环支架，所述盖环支架上搭设有盖环，所述盖环位于所述基座的上方且与所述基座同心设置，所述盖环底部对应于所述导向滑块设置有多个导向件；

在所述基座上升至工艺位置的过程中，所述导向件能带动所述导向滑块沿所述基座的径向向所述基座的中心滑动，使所述导向滑块推动承载在所述基座上的晶圆，对所述晶圆与所述盖环进行对中，所述基座上升至所述工艺位置后，所述盖环压覆于所述晶圆的边缘上；

所述导向件包括设置在所述盖环底部朝远离所述基座的方向斜向延伸设置的导向柱，所述导向柱的轴线与所述盖环的轴线呈一预设夹角。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述基座包括有基座本体、适配环，所述适配环套设于所述基座本体上，所述适配环上开设有多个安装槽，所述多个导向滑块一一对应地设置在所述多个安装槽中，所述导向滑块能在所述安装槽中沿所述基座的径向滑动。

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装槽为楔形槽，所述导向滑块与所述安装槽相适配。

4.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向滑块上开设有与所述导向柱配合的导向孔，所述导向孔与所述导向柱间隙配合；在所述基座上升至所述工艺位置的过程中，所述导向柱顶抵所述导向孔靠近所述基座的侧壁，使所述导向滑块沿所述基座的径向向所述基座的中心滑动。

5.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向滑块上开设有与所述导向柱配合的导向孔，所述导向孔与所述导向柱间隙配合；在所述基座上升至所述工艺位置的过程中，所述导向柱顶抵所述导向孔靠近所述基座的侧壁，使所述导向滑块沿所述基座的径向向所述基座的中心滑动。

6.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装槽的底部对应于所述导向孔的位置处开设有容置槽，用于容置所述导向柱。

7.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向柱呈圆柱状或者棱柱状，并且所述导向柱的端部为半球形。

8.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向孔靠近所述基座的侧壁与所述适配环的轴线之间呈所述预设夹角。

9.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述预设夹角小于90度且大于15度。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1至9的任一所述的半导体设备的工艺腔室。