[发明专利]一种用于扫描电镜观察陶瓷内部微观结构的制样方法

权利要求书

1.一种用于扫描电镜观察陶瓷内部微观结构的制样方法，其特征在于，将具有亚微米级晶粒的陶瓷样品折断后得到新鲜断面，再经热腐蚀，得到待观察的陶瓷材料；所述具有亚微米级晶粒的陶瓷样品的断裂方式为完全穿晶断裂或部分穿晶断裂，所述亚微米级晶粒的陶瓷样品的平均晶粒尺寸小于5μm；

所述陶瓷样品的组分包括氧化物陶瓷或非氧化物陶瓷；所述氧化物陶瓷为镁铝尖晶石、氧化锆或氧化铝，所述非氧化物陶瓷为氮化铝、碳化硅或氮化硼；

所述热腐蚀的温度比陶瓷样品的烧结温度低100℃～500℃，所述热腐蚀的时间为0.5～10小时。

2.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，所述亚微米级晶粒的陶瓷样品的平均晶粒尺寸小于1μm。

3.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，所述陶瓷样品为致密陶瓷或多孔陶瓷。

4.根据权利要求3所述的制样方法，其特征在于，所述多孔陶瓷的非孔骨架区域的相对密度大于65%。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制样方法，其特征在于，在所得待观察的陶瓷材料的表面进行镀膜处理；所述膜的材质为金、铬或碳，厚度≤10nm。

6.一种根据权利要求1-5中任一项所述的制样方法制备的待观察的陶瓷材料。