[发明专利]晶圆曝光投影图的设定方法及系统

说明书

本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统。

背景技术

在半导体制造工艺中设定晶圆曝光投影图(shot map)时，需确保晶圆内有效裸片(die)的最大个数，因为晶圆内的有效裸片数越多，生产成本就越低。在晶圆边缘部位，很多裸片的至少一部分被禁止区(exclusion area)覆盖，无法期待其真实的产出量(yield)，这些裸片称为无效裸片(ineffective die)。

在现有技术中，考虑到裸片切割(die sawing)，制作曝光投影图使划片槽(scribelane)位于同一条直线上，如此从晶圆中心对称的曝光投影图，造成无效裸片成双成对的出现(如图1所示)。

现有技术的曝光投影图以晶圆中心为中心，使所有曝光投影图的划片槽保持位于同一直线上。在现有技术中，有调整曝光投影图的位置，参照晶圆边缘裸片的产出量(yield)结果来调整产出量最大化(yield maximize)的方法，这个方法的目的是为了提高产出量(yield)，所以不能增加无效曝光投影图的个数。

发明内容

本申请的目的是提供一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种晶圆曝光投影图的设定方法，包括：

生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形的曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形的投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；

沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种晶圆曝光投影图的设定系统，包括：

生成模块，用于生成覆盖晶圆的矩形的曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形的投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；

调整模块，用于沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。

本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明