[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：

阻变介质层，用于阻变存储；其中，所述阻变介质层包括：

掺杂介质层，其部分具有一定掺杂浓度的金属，用于在所述阻变存储器中形成局部增强电场，使得阻变存储器的导电通道生成位置可控。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变介质层还包括：

底介质层，所述掺杂介质层设置于所述底介质层的上表面上；以及

顶介质层，设置于所述掺杂介质层的上表面上；

所述底介质层和所述顶介质层用于夹设所述掺杂介质层，为所述掺杂介质层提供阻隔，以确保所述掺杂介质层在阻变存储器中形成局部增强电场，同时实现阻变介质层的阻变功能。

3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，

所述底介质层材料为SiO_x、HfO_x或SiN_x；

所述掺杂介质层材料包括部分掺杂金属的SiO_x、HfO_x或SiN_x；

所述顶介质层材料为SiO_x、HfO_x或SiN_x；其中，x小于正常化学计量数；

其中，所述阻变介质层的总厚度为15nm-25nm。

4.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，阻变存储器的所述底介质层下方还包括：依次设置的衬底层、粘合层、底电极，其中，

所述衬底层用于为所述阻变存储器提供支撑；

所述粘合层设置于所述衬底层上表面上，使得所述阻变存储器能够更好的固定于所述衬底层上；以及

底电极设置于所述粘合层的上表面上，为所述阻变存储器提供一种电连接端口；

所述底介质层设置于所述底电极的上表面上。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，

所述粘合层材料包括Ti，厚度大于等于10nm；

所述底电极材料包括Pt、Au或Pd，厚度大于等于30nm。

6.根据权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底层包括：

第一基底层，用于为所述阻变存储器提供支撑；以及

第二基底层，设置于所述第一基底层上表面上，所述粘合层设置于所述第二基底层的上表面上，使得底电极能够更好的固定于所述衬底层上。

7.根据权利要求6所述的阻变存储器，其特征在于，

所述第一基底层材料包括Si或SiO₂，厚度大于等于1μm；

所述第二基底层材料包括SiO₂，厚度大于等于200nm。

8.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，阻变存储器还包括：

多个凸电极，多个所述凸电极彼此之间相互间隔、并设置于所述顶介质层的上表面上，为所述阻变存储器提供另一种电连接端口；其中，多个凸电极的每个所述凸电极包括：

顶电极层，设置于所述顶介质层的上表面上，

保护层，覆盖于所述顶电极层上表面上，用于保护所述顶电极层。

9.根据权利要求8所述的阻变存储器，其特征在于，

所述凸电极为一柱状结构，直径尺寸小于等于300μm；

所述顶电极层材料包括Ta、Pt或W，厚度大于等于50nm；

所述保护层材料包括Ru、Pt或Pd，厚度大于等于20nm。

10.一种用于制备权利要求1-9中任一项所述阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层上表面上形成粘合层；

在所述粘合层上表面上形成底电极；

在所述底电极上表面上形成阻变介质层；

其中，所述阻变介质层包括：掺杂介质层，其部分具有一定掺杂浓度的金属原子，用于在所述阻变存储器中形成局部增强电场，使得阻变存储器的导电通道生成位置可控。