[发明专利]一种微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法

权利要求书

1.一种微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，包括：

步骤1、分别对标准机和被校仪器的荧光校准通道设置相同的扫描参数，并分别对同一校准芯片进行扫描，得到一组标准数据和待测数据；

步骤2、将标准数据与待测数据做截距为零的线性拟合，计算该组数据的线性相关系数和斜率；

步骤3、设置不同的扫描参数重复步骤1和步骤2共N次，得到N组数据的线性相关系数和斜率；

步骤4、判断线性相关系数符合标准的数据组数M，若符合标准的数据组数M不符合修正值条件，则对被校准仪器重新进行性能调试，调试后进入步骤1；

步骤5、判断符合步骤4的数据组的斜率符合标准的数据组数L，若斜率符合标准的数据组数L不符合修正条件，则对被校准仪器重新进行性能调试，调试后进入步骤1；若斜率符合标准的数据组数L符合修正条件，则计算L组数据的斜率均值；

步骤6、将斜率均值作为被校准仪器在该荧光检测通道及设置参数范围内的修正值，对被校准仪器进行校准；

步骤7、更换荧光通道重复步骤1～6，完成被校准仪器其他荧光通道的校准。

2.根据权利要求1所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，采用过原点的线性回归分析法进行拟合，计算得到每组数据的线性相关系数和斜率。

3.根据权利要求1所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述步骤3中，数据组数N不少于6。

4.根据权利要求3所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述步骤4中，所述判断线性相关系数符合标准的方法为：线性相关系数大于0.9，且数据组数M不少于5组。

5.根据权利要求4所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述步骤5中，所述修正条件为：符合步骤4标准的数据组斜率值的变异系数CV值小于5％，且数据组数L不少于4组。

6.根据权利要求1所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述校准芯片由具有浓度梯度的荧光纳米材料混合液点制在微流控芯片的反应池内或点制在玻片芯片表面制成，荧光纳米材料混合液浓度梯度不少于5个。

7.根据权利要求6所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，每个梯度浓度重复点制不少于4次，形成一个阵列。

8.根据权利要求7所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，每个校准芯片的阵列数量不少于3个。

9.根据权利要求8所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述校准芯片的荧光信号值范围在0～65535之间。

10.根据权利要求1所述的微阵列芯片激光共焦扫描仪的校准方法，其特征在于，所述参数范围为N组扫描参数形成的参数集合。