[发明专利]用于预测芯片的良率的方法和设备以及计算机可读介质有效

专利信息
申请号: 202010577140.0 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111710616B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 全芯智造技术有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 崔卿虎
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 用于 预测 芯片 方法 设备 以及 计算机 可读 介质
【权利要求书】:

1.一种用于预测芯片的良率的方法,包括:

确定待制造的芯片中与特定图案库相对应的目标图案;

基于所述特定图案库的良率数据来确定针对所述目标图案的第一预测良率;以及

基于所述第一预测良率,确定所述芯片的预测良率;

所述方法进一步包括:

确定所述芯片中的特定类型的特定器件,并且基于所述特定器件的电性参数与良率之间的拟合相关性来确定针对所述特定器件的第三预测良率;以及

进一步基于所述第三预测良率,确定所述芯片的预测良率;

其中基于所述特定器件的电性参数与良率之间的拟合相关性来确定针对所述特定器件的第三预测良率包括:

针对所述特定器件中的每个类型的器件,基于所述电性参数中的每个类型的参数与对应器件的数目的乘积,确定针对所述器件的所述类型的参数的良率权重;

基于针对所述特定器件中的各个类型的器件的所述良率权重之和,确定针对所述类型的参数的相关性参数;

基于所述拟合相关性,确定与针对所述电性参数中的各个类型的参数的所述相关性参数相对应的相应良率;以及

基于所述相应良率的乘积来确定所述第三预测良率。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

获取所述芯片的制造过程中的测量参数,并且基于所述测量参数与针对电学失效的良率之间的拟合相关性来确定针对所述电学失效的第二预测良率;以及

基于所述第一预测良率和所述第二预测良率,确定所述芯片的预测良率。

3.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述芯片的预测良率包括:

进一步基于玻色爱因斯坦方程,确定所述芯片的预测良率。

4.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述芯片的预测良率包括:

进一步基于玻色爱因斯坦方程,确定所述芯片的预测良率。

5.根据权利要求1所述的方法,其中确定待制造的芯片中与特定图案库相对应的目标图案包括:

确定与所述特定图案库中包括的导致良率损失的图案相对应的所述目标图案。

6.根据权利要求1所述的方法,其中确定待制造的芯片中与特定图案库相对应的目标图案包括:

基于所述芯片的版图来确定所述目标图案。

7.根据权利要求6所述的方法,其中基于所述芯片的版图来确定所述目标图案包括:

获取所述特定图案库中的多个子图案;以及

从所述芯片的版图中,确定包括与所述子图案分别相匹配的子图案的所述目标图案。

8.根据权利要求1所述的方法,其中基于所述特定图案库的良率数据来确定针对所述目标图案的第一预测良率包括:

基于所述特定图案库中的各个图案的良率统计数据,确定所述第一预测良率。

9.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述第一预测良率包括:

确定所述目标图案的类型和每个类型的目标图案的数目;以及

基于与所述目标图案的类型相对应的图案的良率统计数据和所确定的数目,确定所述第一预测良率。

10.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述第一预测良率包括:

基于与所述特定图案库中的各个图案相对应的相应良率的乘积,确定所述第一预测良率。

11.根据权利要求10所述的方法,其中确定所述第一预测良率包括:

针对所述目标图案中的每个类型的目标图案,基于所述目标图案与偏离值之间的拟合相关性,确定与每个类型的目标图案的所述相应良率相对应的偏离值;

针对所述目标图案中的每个类型的目标图案,基于所述相应良率和所述偏离值之和来确定修正良率;

基于针对所述目标图案中的各个类型的目标图案的所述修正良率的乘积,确定所述第一预测良率。

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