[发明专利]电路架构及其制作方法在审
申请号: | 202010578387.4 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN113838760A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 林宜宏;宋立伟 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/544;H01L23/498 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 架构 及其 制作方法 | ||
1.一种电路架构的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
制作测试电路组件于所述基板上;
制作焊垫于所述测试电路组件上;
制作绝缘层,其中所述绝缘层的第二表面覆盖所述测试电路组件与所述焊垫;以及
制作导电垫于所述绝缘层上,其中所述导电垫与所述焊垫耦接。
2.根据权利要求1所述的电路架构的制作方法,其特征在于,所述导电垫位在所述绝缘层的第一表面上。
3.根据权利要求1所述的电路架构的制作方法,其特征在于,于所述基板的法线方向上,所述测试电路组件的厚度小于所述焊垫的厚度。
4.根据权利要求1所述的电路架构的制作方法,其特征在于,所述测试电路组件与所述焊垫的蚀刻比大于1。
5.根据权利要求1所述的电路架构的制作方法,其特征在于,还包括:
分离所述基板;以及
在分离所述基板之后,移除所述测试电路组件。
6.根据权利要求5所述的电路架构的制作方法,其特征在于,在移除所述测试电路组件之后,所述绝缘层的所述第二表面具有凹陷区。
7.一种电路架构,其特征在于,包括:
绝缘层,具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面;
导电垫,设置在所述绝缘层的所述第一表面;以及
焊垫,设置在所述绝缘层的所述第二表面,其中所述焊垫与所述导电垫耦接,所述绝缘层在所述第二表面具有凹陷区。
8.根据权利要求7所述的电路架构,其特征在于,所述电路架构为重布线路层。
9.根据权利要求7所述的电路架构,其特征在于,所述导电垫与芯片耦接。
10.根据权利要求7所述的电路架构,其特征在于,所述焊垫与电子装置耦接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造