[发明专利]霍尔传感器和检测霍尔传感器应力影响程度的方法

说明书

本申请涉及电子技术领域，提供了一种霍尔传感器、检测霍尔传感器应力影响程度的方法以及计算机可读存储介质，其中，一种霍尔传感器，包括霍尔感应单元矩阵与霍尔感应层电阻，霍尔感应层电阻分布在每个霍尔感应单元的周围，由于霍尔感应层电阻在衬底上的层次结构与霍尔感应单元在衬底上的层次结构相同，因此霍尔感应层电阻可以作为霍尔感应单元的代替对象，在需要对霍尔感应单元进行应力影响检测时，可以基于分布在每个霍尔感应单元边缘周围的霍尔感应层电阻的电阻值，确定出霍尔传感器的应力影响程度，无需直接对霍尔感应单元进行检测，能够避免过于繁琐的时序方案配置过程，提高了检测效率。

技术领域

本申请属于电子技术领域，尤其涉及一种霍尔传感器、检测霍尔传感器应力影响程度的方法以及计算机可读存储介质。

背景技术

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，被广泛应用于各种领域。当半导体上外加与电流方向垂直的磁场，使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，电子或空穴则不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。

在霍尔传感器的制造环节中，选用的掺杂物不同、掺杂浓度不同，制造出来的霍尔传感器的感应能力就会有所不同。在实际使用霍尔传感器的过程中，受到应力影响，霍尔传感器的感应精度也会受到一定影响。现有技术中，在对霍尔传感器进行应力影响检测时，将霍尔传感器接入检测电路中，通过采集霍尔传感器在检测电路中的电信号，并基于该电信号进行测算最终预估应力对霍尔传感器的影响，但是在将霍尔传感器接入检测电路中直接进行检测时，需要配置较为复杂的时序方案，且基于采集到的电信号预估应力对霍尔传感器的影响，该预估的测算过程较为复杂，由此可见，现有技术中直接对霍尔传感器进行应力影响检测，存在实现方案复杂以及检测效率较低的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种霍尔传感器、检测霍尔传感器应力影响程度的方法以及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中直接对霍尔传感器进行应力影响检测，存在实现方案复杂以及检测效率较低的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种霍尔传感器，设置在衬底上，所述霍尔传感器包括：

霍尔感应单元矩阵，包括N个霍尔感应单元；其中，N为大于0的整数；

霍尔感应层电阻，分布在每个所述霍尔感应单元的边缘周围；

其中，所述霍尔感应层电阻在所述衬底上的层次结构与所述霍尔感应单元在所述衬底上的层次结构相同。

本申请实施例第一方面提供的一种霍尔传感器，包括霍尔感应单元矩阵与霍尔感应层电阻，其中，霍尔感应单元矩阵包括N个霍尔感应单元，霍尔感应层电阻分布在每个霍尔感应单元的边缘周围，由于霍尔感应层电阻在衬底上的层次结构与霍尔感应单元在衬底上的层次结构相同，因此霍尔感应层电阻可以作为霍尔感应单元的代替对象，在需要对霍尔感应单元进行应力影响检测时，可以通过测算分布在每个霍尔感应单元边缘周围的霍尔感应层电阻的电阻值，再基于电阻值确定出霍尔传感器的应力影响程度，从而间接实现对霍尔感应单元的应力影响检测，无需直接对霍尔感应单元进行检测，能够避免过于繁琐的时序方案配置过程，简化了实现方案，提高了检测效率。

上述方案中，所述霍尔感应单元的边缘在所述衬底上呈矩形，所述霍尔感应单周围分布四个所述霍尔感应层电阻，且在所述霍尔感应单元矩阵中相邻的两个所述霍尔感应单元之间仅有一个所述霍尔感应层电阻。

上述方案中，所述霍尔感应单元的边缘在所述衬底上呈多边形或十字形，所述霍尔感应层电阻沿所述霍尔感应单元的边缘分布。

上述方案中，所述霍尔传感器还包括：