[发明专利]NMOS输出功率管的低压差稳压器

权利要求书

1.一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，包括：

低压差稳压单元，包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络，所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接，所述反馈网络的接地端接地；

电流检测单元，包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压；

其中，所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种，

当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述第一PMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接；

当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路，所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接，所述参考电压调整电路的输入端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述参考电压调整电路包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端与输入电压和所述误差放大器的输入端连接，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端和所述第一PMOS管漏极连接，所述第四电阻的另一端接地；

当所述误差放大电路为误差放大调整电路时，所述第一PMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，所述电流检测单元还包括第三PMOS管和第三NMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接后接入输入电压，所述第三PMOS管的漏极接地，所述第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的源极连接后接地，所述第三NMOS管的漏极接输入电压，所述第三NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接。

3.根据权利要求1或2所述的NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，所述误差放大调整电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极连接，所述第四PMOS管的栅极接参考电压，所述第四PMOS管的漏极通过第一线与所述电流检测单元的输出端连接，所述第五PMOS管的源极接输入电压，所述第五PMOS管的栅极与所述反馈网络的输出端连接，所述第五PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的源极连接，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的源极与所述第一线连接后接地，所述第五NMOS管的漏极与第七PMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极连接，所述第七PMOS管的源极接输入电压，所述第七PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的源极接输入电压，所述第六PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极，所述第六PMOS管的栅极和漏极短接。

4.根据权利要求1或2所述的NMOS输出功率管的低压差稳压器，其特征在于，所述误差放大调整电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的栅极接参考电压，所述第四PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的漏极与栅极短接，所述第七NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极连接，所述第八NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第六PMOS管的源极接输入电压，所述第六PMOS管的漏极和栅极短接，所述第六PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接，所述第七PMOS管的源极接输入电压，所述第七PMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的源极与所述电流检测单元的输出端和所述第九NMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极连接，所述第六NMOS管的漏极和栅极短接，所述第六NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第五PMOS管的栅极与所述反馈网络的输出端连接，所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管和所述第九NMOS管的源极均接地。