[发明专利]NMOS输出功率管的低压差稳压器

说明书

本发明提供了一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括低压差稳压单元和电流检测单元，电流检测单元包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压。所述NMOS输出功率管的低压差稳压器，能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。

技术领域

本发明涉及低压差稳压器技术领域，尤其涉及一种NMOS输出功率管的低压差稳压器。

背景技术

低压差稳压器包括输出功率期间、反馈网络和误差放大器，其输出电流随着负载情况轻重导致变化范围很大，从而影响到电路的稳定性、工作温度、输出电压的稳定性等。

其中，输出电流的变化而引起电源输出变化，可以用负载调整率(LoadRegulation)指标描述，用公式可以表述为：Load Regulation＝|Vfl-Vml|/Vhl x100％，Vfl和Vml分别是低压差稳压器满载时和最小负载时的输出电压，Vhl是半载时的输出电压。负载增加，输出电压降低，相反负载减少，输出电压升高，因此，负载调整率越小说明低压差稳压器抑制负载干扰的能力越强。但现有技术中，缺乏针对NMOS输出功率管的低压差稳压器的电流检测电路以及负载调整电路。

因此，有必要提供一种新型的NMOS输出功率管的低压差稳压器以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NMOS输出功率管的低压差稳压器，检测输出电流的大小，从而改善低压差稳压器的负载调整率。

为实现上述目的，本发明的所述NMOS输出功率管的低压差稳压器，包括：

低压差稳压单元，包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络，所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极接输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接，所述反馈网络的接地端接地；

电流检测单元，包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压；

其中，所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种，

当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述第一PMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接；

当所述误差放大电路为所述误差放大器时，所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路，所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接，所述参考电压调整电路的输入端与所述第一PMOS管的漏极连接；

当所述误差放大电路为误差放大调整电路时，所述第一PMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。

本发明的有益效果在于：电流检测单元包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的源极接输入电压，所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极接输入电压，从而能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小，从而根据输出电流的大小，改善所述低压差稳压单元的负载调整率。