[发明专利]NMOS输出功率管的低压差稳压器有效

专利信息
申请号: 202010578679.8 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111638745B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 罗可欣 申请(专利权)人: 上海安路信息科技股份有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 200434 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: nmos 输出 功率管 低压 稳压器
【说明书】:

发明提供了一种NMOS输出功率管的低压差稳压器,包括低压差稳压单元和电流检测单元,电流检测单元包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的源极接输入电压,所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的源极接输入电压。所述NMOS输出功率管的低压差稳压器,能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小,从而根据输出电流的大小,改善所述低压差稳压单元的负载调整率。

技术领域

本发明涉及低压差稳压器技术领域,尤其涉及一种NMOS输出功率管的低压差稳压器。

背景技术

低压差稳压器包括输出功率期间、反馈网络和误差放大器,其输出电流随着负载情况轻重导致变化范围很大,从而影响到电路的稳定性、工作温度、输出电压的稳定性等。

其中,输出电流的变化而引起电源输出变化,可以用负载调整率(LoadRegulation)指标描述,用公式可以表述为:Load Regulation=|Vfl-Vml|/Vhl x100%,Vfl和Vml分别是低压差稳压器满载时和最小负载时的输出电压,Vhl是半载时的输出电压。负载增加,输出电压降低,相反负载减少,输出电压升高,因此,负载调整率越小说明低压差稳压器抑制负载干扰的能力越强。但现有技术中,缺乏针对NMOS输出功率管的低压差稳压器的电流检测电路以及负载调整电路。

因此,有必要提供一种新型的NMOS输出功率管的低压差稳压器以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NMOS输出功率管的低压差稳压器,检测输出电流的大小,从而改善低压差稳压器的负载调整率。

为实现上述目的,本发明的所述NMOS输出功率管的低压差稳压器,包括:

低压差稳压单元,包括误差放大电路、第一NMOS管和反馈网络,所述误差放大电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述误差放大电路的输入端与所述反馈网络的输出端连接,所述第一NMOS管的漏极接输入电压,所述第一NMOS管的源极与所述反馈网络的输入端连接,所述反馈网络的接地端接地;

电流检测单元,包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的源极接输入电压,所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的源极接输入电压;

其中,所述误差放大电路包括误差放大器或误差放大调整电路中的一种,

当所述误差放大电路为所述误差放大器时,所述第一PMOS管的漏极与所述反馈网络的输出端连接;

当所述误差放大电路为所述误差放大器时,所述NMOS输出功率管的低压差稳压器还包括参考电压调整电路,所述参考电压调整电路的输出端与所述误差放大器的输入端连接,所述参考电压调整电路的输入端与所述第一PMOS管的漏极连接;

当所述误差放大电路为误差放大调整电路时,所述第一PMOS管的漏极与所述误差放大调整电路的输入端连接。

本发明的有益效果在于:电流检测单元包括第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接,所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的源极接输入电压,所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的源极接输入电压,从而能够检测出所述低压差稳压单元的输出电流大小,从而根据输出电流的大小,改善所述低压差稳压单元的负载调整率。

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