[发明专利]一种复合膜层台面保护结构及其膜层生产工艺

权利要求书

1.一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I(1)、掺磷二氧化硅层(2)、掺氯二氧化硅层(3)和sipos层II(4)，所述沟槽的下方设有PN结。

2.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层II(4)的外部设有一玻璃层(5)。

3.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层I(1)膜层厚度为

4.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的掺磷二氧化硅层(2)膜层厚度为

5.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的掺氯二氧化硅层(3)膜层厚度为

6.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层II(4)膜层厚度为

7.一种复合膜层的生产工艺，应用于权利要求1-6任一所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：

步骤一，沉积sipos层I(1)，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH₄流量：500*47％＝235cc/min，N₂O流量：300*17％＝51cc/min，沉积时间t＝20min；

步骤二，沉积掺磷二氧化硅层(2)，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝230mtorr，SiH₄流量：200*45％＝90cc/min，O₂流量：200*28％＝56cc/min，PH₃流量：100*10％＝10cc/min，沉积时间t＝6min；

步骤三，沉积掺氯二氧化硅层(3)，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH₄流量：500*38％＝190cc/min，N₂O流量：300*25％＝75cc/min，HCL流量：30cc/min，沉积时间t＝8min；

步骤四，沉积sipos层II(4)，温度T＝680℃，沉积压力TTL＝300mtorr，SiH₄流量：500*47％＝235cc/min，N₂O流量：300*17％＝51cc/min，沉积时间t＝40min。