[发明专利]一种二分频电路及一种芯片在审
| 申请号： | 202010579652.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111669175A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 何力;李学建 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/18 | 分类号： | H03L7/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘奕 |
| 地址： | 410131 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分频 电路 芯片 | ||
1.一种二分频电路，其特征在于，包括第一反相单元、第二反相单元和第三反相单元；
所述第一反相单元的输入端连接信号源输出端，所述第一反相单元的输出端连接所述第二反相单元的输入端，所述第二反相单元的输出端连接所述第三反相单元的输入端，所述第三反相单元的输出端连接所述信号源输出端，所述第一反相单元、所述第二反相单元和所述第三反相单元均通过一电源供电。
2.根据权利要求1所述的二分频电路，其特征在于，所述第一反相单元包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管；
所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，并作为所述第一反相单元的输入端，所述第一PMOS管的源级连接所述电源，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第一NMOS管的源级连接地线，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，并作为所述第一反相单元的输出端；
所述第二PMOS管的栅极接入输入时钟信号。
3.根据权利要求1所述的二分频电路，其特征在于，所述第二反相单元包括第二NMOS管、第三NMOS管和第三PMOS管；
所述第二NMOS管的栅极作为所述第二反相单元的输入端，所述第二NMOS管的源级连接所述第三NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，并作为所述第二反相单元的输出端；
所述第三NMOS管的栅极接入所述输入时钟信号，所述第三NMOS管的源级连接地线；
所述第三PMOS管的栅极接入所述输入时钟信号，所述第三PMOS管的源级连接所述电源。
4.根据权利要求1所述的二分频电路，其特征在于，所述第三反相单元包括第四NMOS管、第四PMOS管和第五NMOS管；
所述第四NMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，并作为所述第三反相单元的输入端，所述第四NMOS管的源级连接地线，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的源极；
所述第四PMOS管的源级连接所述电源，所述第四PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极，并作为所述第三反相单元的输出端；
所述第五NMOS管的栅极接入所述输入时钟信号。
5.根据权利要求2所述的二分频电路，其特征在于，所述第一反相单元还包括连接在所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极之间的第一电阻。
6.根据权利要求3所述的二分频电路，其特征在于，所述第二反相单元还包括连接在所述第二NMOS管的源级和所述第三NMOS管的漏极之间的第二电阻。
7.根据权利要求4所述的二分频电路，其特征在于，所述第三反相单元还包括连接在所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极之间的第三电阻。
8.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1至7任意一项所述的二分频电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南国科微电子股份有限公司，未经湖南国科微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010579652.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备Al-Si合金晶粒细化剂的方法
- 下一篇：一种电缆检测辅助装置
