[发明专利]探测基板及射线探测器

权利要求书

1.一种探测基板，其中，包括：

衬底基板；

多个探测像素，位于所述衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，所述探测标记像素包括：

存储电容，所述存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；

放电电路，所述放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将所述偏置电压端的信号写入所述存储电容的第二电极板；

读取电路，与外部读取电路耦接，所述读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述存储电容的第二电极板的电压写入所述外部读取电路，并将所述外部读取电路的参考信号写入所述存储电容的第二电极板。

2.如权利要求1所述的探测基板，其中，所述放电电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一栅极与所述第一扫描信号端耦接，第一源极与所述偏置电压端耦接，第一漏极与所述存储电容的第二电极板耦接。

3.如权利要求2所述的探测基板，其中，所述读取电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的第二栅极与所述第二扫描信号端耦接，第二源极与所述存储电容的第二电极板耦接，第二漏极与所述外部读取电路耦接。

4.如权利要求3所述的探测基板，其中，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一晶体管的第一有源层与所述第二晶体管的第二有源层同层设置，所述第一源极、所述第一漏极与所述第二源极、所述第二漏极同层设置。

5.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的下电极、光电转换层、上电极、平坦层、以及与所述上电极电连接的偏置电压层；

所述上电极复用为存储电容的第一电极板；

所述下电极复用为所述存储电容的第二电极板，且与所述第一漏极、所述第二源极分别电连接。

6.如权利要求5所述的探测基板，其中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影位于所述偏置电压层的正投影内。

7.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的钝化层、平坦层和偏置电压层；

所述偏置电压层复用为存储电容的第一电极板；

所述存储电容的第二电极板位于所述钝化层与所述平坦层之间，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。

8.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的钝化层、平坦层和偏置电压层；

存储电容的第一电极板位于所述钝化层与所述平坦层之间，且与所述偏置电压层电连接；

所述存储电容的第二电极板与所述第一源极同层设置，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。

9.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的偏置电压层，以及位于所述第一栅极所在层与所述第一有源层之间的栅绝缘层；

存储电容的第一电极板与所述第一源极同层设置，且与所述偏置电压层电连接；

所述存储电容的第二电极板与所述第一栅极同层设置，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。

10.如权利要求4所述的探测基板，其中，所述第二栅极包括多个子栅极。

11.如权利要求5-9任一项所述的探测基板，其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述偏置电压层的正投影内。