[发明专利]LDMOS晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，所述LDMOS晶体管包括：

半导体衬底，所述半导体衬底的上部形成有第一掺杂类型的掺杂区，所述第一掺杂类型的掺杂区内形成有掺杂类型相反的第一掺杂类型的阱区及第二掺杂类型的阱区；

位于所述第二掺杂类型的阱区内的源区及位于所述第一掺杂类型的阱区内的漏区；

位于所述源区与所述漏区之间的STI结构，所述STI结构包括形成于浅沟槽中的叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且所述叠层结构的最下层及最上层为所述绝缘材料层；

位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极的一侧延伸至所述源区上方，另一侧延伸至所述STI结构的上方；

与所述栅极及所述叠层结构最上层的所述绝缘材料层连接的接触孔；

与所述接触孔电连接的金属层。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述铁电材料层的材料包括掺铝和/或锆的氧化铪基铁电材料。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述浅沟槽的深度介于之间，所述叠层结构中最下层所述铁电材料层的底壁与所述浅沟槽的底部之间的距离介于之间。

4.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述叠层结构包括N层所述铁电材料层，N≤3，每层所述铁电材料层的厚度介于之间，相邻两层所述铁电材料层的距离介于之间。

5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述第二掺杂类型的阱区内设有与所述源区接触的第二掺杂类型的重掺杂区，且所述第二掺杂类型的重掺杂区设在所述源区的远离所述栅极的一侧。

6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述第一掺杂类型为N型或P型。

7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于：所述STI结构与所述漏区相接触，所述栅极包括位于所述半导体衬底上的栅介质层，及位于所述栅介质层上的栅多晶硅层，且所述栅极的侧壁覆盖有侧墙。

8.一种LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的上部形成有第一掺杂类型的掺杂区；

于所述第一掺杂类型的掺杂区内形成位于源区与漏区之间的STI结构，所述STI结构包括形成于浅沟槽中的叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且所述叠层结构的最下层及最上层为所述绝缘材料层；

于所述第一掺杂类型的掺杂区内形成掺杂类型相反的第一掺杂类型的阱区及第二掺杂类型的阱区；

于所述半导体衬底上形成栅极，所述栅极的一侧延伸至所述第二掺杂类型的阱区的上方，另一侧延伸至所述STI结构的上方；

于所述第二掺杂类型的阱区形成源区的轻掺杂区域；

于所述第二掺杂类型的阱区形成源区的重掺杂区域，于所述第一掺杂类型的阱区形成漏区的重掺杂区域；

于所述栅极及所述叠层结构最上层的所述绝缘材料层上形成接触孔；

形成电连接所述接触孔的金属层。

9.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于：在形成所述源区的重掺杂区域及所述漏区的重掺杂区域之前还包括于所述栅极的侧壁形成侧墙的步骤。

10.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：于所述第二掺杂类型的阱区内形成与所述源区接触的第二掺杂类型的重掺杂区，且所述第二掺杂类型的重掺杂区设在所述源区的远离所述栅极的一侧。

11.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于：所述铁电材料层的材料包括掺铝和/或锆的氧化铪基铁电材料。