[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

(a)提供衬底，所述衬底包括半导体衬底以及形成在所述半导体衬底上的半导体层；

(b)形成穿透所述半导体层的第一开口，以便沿着所述半导体层的厚度方向到达所述半导体衬底；

(c)在所述第一开口中以及在所述衬底上形成第一绝缘层；

(d)形成穿透所述第一绝缘层的第二开口，使得所述第一绝缘层保持在所述第一开口的内表面上，并且使得所述半导体衬底从所述第一绝缘层暴露；

(e)在所述第二开口中嵌入导电层以到达所述半导体衬底；

(f)在所述导电层的表面的至少一部分上形成保护层；以及

(g)通过CMP方法去除被形成在所述第二开口外的所述导电层的一部分，

其中，在(e)中，所述半导体层被嵌入在所述第二开口中，以便沿所述半导体层的厚度方向形成间隙。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在(f)中，所述保护层形成在所述导电层的所述表面的一部分上，以闭合所述第二开口中的所述间隙。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在第二开口中，所述保护层形成在所述导电层的整个表面上。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在(f)中，所述导电层由钨制成。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述保护层的材料是所述导电层的材料的氧化物。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述保护层的材料是从钛、氮化钛和硅组成的组中所选择的至少一种材料。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，包括在(f)和(g)之间的(h)，所述(h)中，执行对所述保护层的等离子处理，

其中所述保护层由硅酮制成。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，包括：

半导体衬底；以及

在所述半导体衬底上形成的半导体层，

其中，开口延伸使得所述开口在所述半导体层的厚度方向上到达所述半导体衬底并穿透所述半导体层；

第一绝缘层，其形成在所述开口的内表面上和所述衬底上，使得所述半导体衬底暴露在所述开口中；

导电层，其形成在所述开口中，使得沿所述半导体层的所述厚度方向形成间隙，并且使得所述间隙到达所述半导体衬底；以及

保护层，其形成于所述间隙中的所述导电层的表面的至少一部分上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，包括形成在所述衬底与所述第一绝缘层之间的第二绝缘层，

其中，所述开口穿透所述第二绝缘层以及所述半导体层，使得所述开口到达所述半导体衬底。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述保护层形成在所述导电层的所述表面的一部分上，使得所述间隙在所述开口中闭合。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，在所述开口中，所述保护层形成在所述导电层的整个表面上。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述导电层包括钨。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述保护层的材料是所述导电层的材料的氧化物。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述保护层材料是从钛、氮化钛和硅组成的组中所选择的至少一种材料。

15.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述保护层包括：

硅层；以及

形成在所述硅层上的氧化硅层。