[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开的实施例总体上涉及半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底、形成第一开口、形成第一绝缘层、形成第二开口、嵌入导电层、形成保护层和执行CMP。所述衬底包括半导体衬底和半导体层。导电层嵌入在第二开口中，使得形成沿半导体层厚度方向的间隙。保护层形成在导电层表面的至少一部分上的第二开口中。在CMP步骤中，移除导电层在第二开口外部形成的部分。

相关申请的交叉引用

2019年6月28日提交的第2019-121420号日本专利申请的公开(包括说明书、附图和摘要)全部通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，例如包括用于衬底接触的导电层的半导体器件和制造该半导体器件的方法。

背景技术

下面列出了一种公开的技术。

[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2015-037099号

已知包括用于衬底接触的导电层的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的半导体层以及用于衬底接触的导电层。用于衬底接触的导电层穿透半导体层，使得导电层沿着半导体层的厚度方向到达半导体衬底(例如，参见专利文献1)。

通过在半导体层中形成开口以到达半导体衬底、然后利用导电层嵌入开口而形成衬底接触。通过CMP方法去除在开口外形成的导电层。

当利用导电层嵌入开口时，在所述开口中可以形成间隙，所述间隙在导电层内被包围。在CMP步骤中使用的化学溶液进入间隙，由此导电层的材料和化学溶液的组分的反应产物可以在衬底接触上形成。因此，在传统的半导体器件中，由于反应产物的存在，彼此相邻的两条布线之间可能发生漏电。如上所述，从提高半导体器件的可靠性的角度，制造半导体器件的传统方法具有进行改进的空间。

提高半导体器件的可靠性是实施例的问题。从说明书和附图的描述中可以看出其他问题和新颖特征。

发明内容

根据实施例的制造半导体器件的方法包括提供衬底、形成第一开口、形成第一绝缘层、形成第二开口、嵌入导电层、形成保护层和执行CMP。导电层嵌入在第二开口中，使得沿半导体层的厚度方向形成间隙。保护层形成在第二开口中导电层表面的至少一部分上。

根据实施例的半导体器件包括衬底、第一绝缘层、导电层和保护层。所述衬底包括半导体衬底和半导体层。在衬底中形成穿透半导体层的开口，使得开口沿着半导体层的厚度方向到达半导体衬底。形成导电层使得沿半导体层的厚度方向的间隙到达开口中的半导体衬底。保护层形成在间隙中导电层的表面的至少一部分上。

根据实施例，可以提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是示出根据实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图2是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图3是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图4是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图5是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图6是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图7是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。

图8是示出根据本实施例的制造半导体器件的方法中包括的示例性步骤的横截面图。