[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

层叠结构，该层叠结构包括在第一方向上彼此间隔开的第一选择图案和第二选择图案；

栅极隔离层，该栅极隔离层在所述第一选择图案和所述第二选择图案之间在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

多个沟道结构，多个所述沟道结构穿透所述层叠结构；以及

第一位线和第二位线，所述第一位线和所述第二位线在所述第一方向上延伸，所述第一位线和所述第二位线彼此相邻，

其中，多个所述沟道结构包括：

第一沟道结构，该第一沟道结构穿透所述第一选择图案，该第一沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开第一距离；以及

第二沟道结构，该第二沟道结构穿透所述第二选择图案，该第二沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开所述第一距离，

其中，所述第一沟道结构连接到所述第二位线，并且

所述第二沟道结构连接到所述第一位线，

其中，所述第一位线和所述第二位线中的每一个与所述第一沟道结构和所述第二沟道结构交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一触点，该第一触点连接所述第一沟道结构和所述第二位线；以及

第二触点，该第二触点连接所述第二沟道结构和所述第一位线，

其中，所述第一触点的中心和所述第二触点的中心在所述第二方向上彼此间隔开第二距离。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括在所述第二方向上与所述第一沟道结构相邻的第三沟道结构，

其中，所述第二距离是所述第一沟道结构和所述第三沟道结构之间在所述第二方向上的间距的1/4。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第二距离等于所述第一位线和所述第二位线之间的间距。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构被设置为关于所述栅极隔离层彼此对称。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第三位线，该第三位线与所述第二位线相邻；以及

第四位线，该第四位线与所述第三位线相邻，

其中，多个所述沟道结构还包括：

第四沟道结构，该第四沟道结构穿透所述第一选择图案，该第四沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开第三距离；以及

第五沟道结构，该第五沟道结构穿透所述第二选择图案，该第五沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开所述第三距离，

其中，所述第三距离大于所述第一距离，

其中，所述第四沟道结构连接到所述第四位线，并且

所述第五沟道结构连接到所述第三位线。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，多个所述沟道结构还包括：

第六沟道结构，该第六沟道结构穿透所述第一选择图案，该第六沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开第四距离；以及

第七沟道结构，该第七沟道结构穿透所述第二选择图案，该第七沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开所述第四距离，

其中，所述第四距离大于所述第三距离，

其中，所述第六沟道结构连接到所述第一位线，并且

所述第七沟道结构连接到所述第二位线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，多个所述沟道结构还包括：

第八沟道结构，该第八沟道结构穿透所述第一选择图案，该第八沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开第五距离；以及

第九沟道结构，该第九沟道结构穿透所述第二选择图案，该第九沟道结构在所述第一方向上与所述栅极隔离层间隔开所述第五距离，

其中，所述第五距离大于所述第四距离，

其中，所述第八沟道结构连接到所述第三位线，并且

所述第九沟道结构连接到所述第四位线。