[发明专利]半导体存储器装置

说明书

一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一选择图案和第二选择图案；栅极隔离层，其在第一选择图案和第二选择图案之间在与第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道结构，其穿透层叠结构；以及第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸，所述第一位线和所述第二位线彼此相邻。沟道结构包括：第一沟道结构，其穿透第一选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开第一距离；以及第二沟道结构，其穿透第二选择图案并在第一方向上与栅极隔离层间隔开基本上第一距离。第一沟道结构和第二沟道结构分别连接到第二位线和第一位线。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置。

背景技术

半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。

根据存储数据的方法和保持数据的方法，半导体存储器装置可被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装置。易失性半导体存储器装置是当供电中断时所存储的数据消失的存储器装置，非易失性半导体存储器装置是即使当供电中断时也保持所存储的数据的存储器装置。

最近，随着越来越多地使用便携式电子装置，已越来越多地使用非易失性半导体存储器装置，并且需要半导体存储器装置的高集成度和大容量以实现便携性和大容量。为了实现便携性和大容量，已提出了三维半导体存储器装置。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的第一选择图案和第二选择图案；栅极隔离层，其在第一选择图案和第二选择图案之间在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个沟道结构，其穿透层叠结构；以及第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸，所述第一位线和所述第二位线彼此相邻，其中，多个沟道结构包括：第一沟道结构，其穿透第一选择图案，该第一沟道结构在第一方向上与栅极隔离层间隔开第一距离；以及第二沟道结构，其穿透第二选择图案，该第二沟道结构在第一方向上与栅极隔离层间隔开基本上第一距离，其中，第一沟道结构连接到第二位线，并且第二沟道结构连接到第一位线，其中，第一位线和第二位线中的每一个与第一沟道结构和第二沟道结构交叠。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一层叠结构和第二层叠结构，其包括绝缘图案和导电图案；第一狭缝结构，其设置在第一层叠结构和第二层叠结构之间以允许第一层叠结构和第二层叠结构彼此间隔开，该第一狭缝结构在第一方向上延伸；多个第一沟道结构，其穿透第一层叠结构；以及多个第二沟道结构，其穿透第二层叠结构，其中，多个第一沟道结构之间在第一方向上的间距被定义为第一距离，其中，多个第二沟道结构在第一方向上相对于第一沟道结构移位第二距离，其中，第二距离小于第一距离。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一层叠结构和第二层叠结构，其包括绝缘图案和导电图案；狭缝结构，其设置在第一层叠结构和第二层叠结构之间以允许第一层叠结构和第二层叠结构彼此间隔开；第一沟道结构，其穿透第一层叠结构；第二沟道结构，其穿透第二层叠结构，所述第二沟道结构被设置为关于狭缝结构与第一沟道结构基本上对称；第一触点，其连接到第一沟道结构；第二触点，其连接到第二沟道结构，所述第二触点被设置为关于狭缝结构与第一触点不对称；以及位线，其连接到第一触点和第二触点。

附图说明

现在将在下文参照附图描述实施方式的示例；然而，其可按照不同的形式来具体实现，不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员传达示例的范围。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。

图1A是根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的平面图。