[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

基底；

位线堆叠结构，包括：

位线结构，位于所述基底上；以及

硬掩模层，位于所述位线结构上；

介电层，位于所述位线堆叠结构上，且具有开口；

接触件结构，被配置以将电容器电性连接至所述基底的有源区，所述接触件结构位于所述位线堆叠结构一侧的所述基底上，其中所述接触件结构包括：

有源区接触件，位于所述基底上，且所述有源区接触件的顶面被所述开口暴露出；以及

电容器接触件，位于所述有源区接触件上的所述开口中；

隔离层，位于所述硬掩模层与所述介电层之间，且位于所述电容器接触件与所述位线堆叠结构之间，以将所述电容器接触件与所述位线堆叠结构电性隔离；以及

蚀刻终止层，位于所述介电层与所述隔离层之间，所述隔离层被所述开口暴露出的面积大于所述蚀刻终止层被所述开口暴露出的面积，且所述蚀刻终止层的材料不同于所述隔离层的材料。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述位线结构包括：

导线，位于所述基底上；

接触件，位于所述导线与所述基底之间；以及

阻障层，位于所述导线与所述接触件之间。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述有源区接触件的顶面等于或高于所述接触件的顶面。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述隔离层还位于所述有源区接触件的部分顶面上，使所述电容器接触件的底面的宽度小于所述有源区接触件的顶面的宽度。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅，且所述蚀刻终止层的材料包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述接触件结构还包括：

阻障层，位于所述电容器接触件与所述有源区接触件之间。

7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：

间隙壁，位于所述位线堆叠结构的侧壁上，且位于所述位线结构与所述接触件结构之间。

8.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成位线堆叠结构，其中所述位线堆叠结构，包括：

位线结构，位于所述基底上；以及

硬掩模层，位于所述位线结构上；

在所述位线堆叠结构一侧的所述基底上形成有源区接触件；

共形地在所述硬掩模层与所述有源区接触件上形成隔离材料层；

共形地在所述隔离材料层上形成蚀刻终止材料层，其中所述蚀刻终止材料层的材料不同于所述隔离材料层的材料；

在所述蚀刻终止材料层上形成介电层；

在所述介电层中形成开口，其中所述开口暴露出位于所述硬掩模层的侧壁上以及位于所述有源区接触件上方的所述蚀刻终止材料层；

移除所述开口所暴露出的部分所述蚀刻终止材料层，而形成蚀刻终止层，且使得所述开口暴露出位于所述硬掩模层的侧壁上以及位于所述有源区接触件上的所述隔离材料层；

移除位于所述有源区接触件上的部分所述隔离材料层，而形成隔离层，且使得所述开口暴露出所述有源区接触件；以及

于所述开口中形成电容器接触件。

9.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，部分所述蚀刻终止材料层的移除方法包括湿式蚀刻法，且部分所述隔离材料层的移除方法包括干式蚀刻法。

10.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述隔离材料层的材料包括氧化硅，且所述蚀刻终止材料层的材料包括氮化硅。