[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。动态随机存取存储器包括基底、位线堆叠结构、介电层、接触窗结构、隔离层与蚀刻终止层。位线堆叠结构包括位线结构与硬掩模层。位线结构位于基底上。硬掩模层位于位线结构上。介电层位于位线堆叠结构上且具有开口。接触窗结构位于位线堆叠结构一侧的基底上。接触窗结构包括有源区接触窗与电容器接触窗。有源区接触窗位于基底上。有源区接触窗的顶面被开口暴露出。电容器接触窗位于有源区接触窗上的开口中。隔离层位于硬掩模层与介电层之间且位于电容器接触窗与位线堆叠结构之间。蚀刻终止层位于介电层与隔离层之间。上述动态随机存取存储器可有效地防止短路的问题。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，尤其涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器的制造过程中，在形成位线结构之后，会在相邻的位线结构之间的有源区接触窗上形成用于将有源区接触窗电性连接至上方电容器的电容器接触窗。然而，在形成电容器接触窗的过程中，容易导致在位线结构与电容器接触窗之间发生短路，甚至在相邻的有源区接触窗间发生短路的问题。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，其可有效地防止上述短路的问题。

本发明提出一种动态随机存取存储器，包括基底、位线堆叠结构、介电层、接触窗结构、隔离层与蚀刻终止层。位线堆叠结构包括位线结构与硬掩模层。位线结构位于基底上。硬掩模层位于位线结构上。介电层位于位线堆叠结构上，且具有开口。接触窗结构被配置以将电容器电性连接至基底的有源区。接触窗结构位于位线堆叠结构一侧的基底上。接触窗结构包括有源区接触窗与电容器接触窗。有源区接触窗位于基底上。有源区接触窗的顶面被开口暴露出。电容器接触窗位于有源区接触窗上的开口中。隔离层位于硬掩模层与介电层之间，且位于电容器接触窗与位线堆叠结构之间，以将电容器接触窗与位线堆叠结构电性隔离。蚀刻终止层位于介电层与隔离层之间。隔离层被开口暴露出的面积大于蚀刻终止层被开口暴露出的面积。蚀刻终止层的材料不同于隔离层的材料。

本发明提出一种动态随机存取存储器的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成位线堆叠结构。位线堆叠结构包括位线结构与硬掩模层。位线结构位于基底上。硬掩模层位于位线结构上。在位线堆叠结构一侧的基底上形成有源区接触窗。共形地在硬掩模层与有源区接触窗上形成隔离材料层。共形地在隔离材料层上形成蚀刻终止材料层。蚀刻终止材料层的材料不同于隔离材料层的材料。在蚀刻终止材料层上形成介电层。在介电层中形成开口。开口暴露出位于硬掩模层的侧壁上以及位于有源区接触窗上方的蚀刻终止材料层。移除开口所暴露出的部分蚀刻终止材料层，而形成蚀刻终止层，且使得开口暴露出位于硬掩模层的侧壁上以及位于有源区接触窗上的隔离材料层。移除位于有源区接触窗上的部分隔离材料层，而形成隔离层，且使得开口暴露出有源区接触窗。于开口中形成电容器接触窗。

基于上述，在本发明所提出的DRAM及其制造方法中，由于隔离层位于电容器接触窗与位线结构之间，因此隔离层可有效地防止在位线结构与用于电性连接至电容器的电容器接触窗之间发生短路的问题，进而可提升DRAM的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的动态随机存取存储器的上视图；

图2A至图2H为沿图1中的I-I’剖面线的动态随机存取存储器的制造流程剖面图。

附图标号说明：

10:动态随机存取存储器

100:基底

102:隔离结构

104:位线堆叠结构

106:位线结构