[发明专利]一种衬底传送装置及衬底传送方法在审
申请号: | 202010586841.0 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN113838786A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 王燚;吴凤丽 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 衬底 传送 装置 方法 | ||
本发明提供了一种衬底传送装置及衬底传送方法,定位底座、定位杆和抓取装置,其中,底座位于本装置的下部,定位杆的一端与定位底座连接,定位杆的另一端与抓取装置连接。本发明一种具有取片功能的取片装置,在薄膜沉积结束后,可直接用该工具取送晶圆托盘,不受设备腔内温度的影响,且该机构使用安全,省力,在操作过程中,工具操作可以提高人身安全,克服了托盘较重、较大的苦难,加快了取片速度提高生产能力,降低操作者劳动强度,该装置运行方式灵活,处理效果稳定,提高了工作效率,减轻工人劳动强度,具有极高的生产经济价值。
技术领域
本发明涉及半导体设备取片技术领域,尤其涉及一种衬底传送装置及衬底传送方法。
背景技术
对于小尺寸晶圆沉积,使用大型半导体真空腔制程设备,采用一次沉积多片的沉积方式,生产效率高,具有显著的经济成果。
但大型半导体真空腔的使用,操作者取片操作复杂并,劳动强度较大。因此,如何研发一种新型的半导体薄膜沉积设备,以解决上述问题,成为人们亟待解决的问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种衬底传送装置及衬底传送方法。
一方面,本发明提供的技术方案是:一种衬底传送装置,包括:定位底座、定位杆和抓取装置;
其中,底座位于本装置的下部,定位杆的一端与定位底座连接,定位杆的另一端与抓取装置连接;
抓取装置的下部设有转盘,转盘上设有多个长条形抓取臂,抓取臂的前端均设有向下的抓钩,在转盘圆心处设有旋转轴,旋转轴上设有旋转限位块和旋转限位座,旋转限位座与旋转限位块之间设有旋转限位销,旋转限位座位于两个定位底座之间的横梁上,所述旋转限位座的下方横梁上,设有升降限位块。
旋转动作中,取盘时,旋转限位块和旋转限位座左侧接触完成限位,放盘时,旋转限位块和旋转限位座右侧接触完成限位;
升降动作中,上位时,旋转限位座和升降定位块接触完成限位,下位时,旋转限位块和旋转限位座接触完成限位。
优选,所述旋转限位座上设有固定孔,旋转时,旋转限位销与旋转限位座上的固定孔来固定调整旋转角度。
进一步优选,所述转盘上设有三条抓取臂,每条抓取臂前端设有向下的抓钩。
进一步优选,所述抓钩下端设有突出卡扣,当取盘时,卡扣可以方便对晶圆托盘进行抓取。
进一步优选,所述底座下方设有滑轮。
进一步优选,所述定位底座的下端设有定位销,取放晶圆托盘时,定位销对正腔体的定位孔,达到定位作用。
另一方面,本发明还提供了一种衬底传送方法,所述方法采用上述任意一种衬底传送装置进行,所述方法包括如下步骤:
1)将装置运至腔体正上方,将定位底座的定位销对正腔体的定位孔,装置缓缓下降,定位底座底面与腔体上面完全贴合受力后,停止下降;
2)调整抓取装置旋转方向,抓取装置旋转至取盘位置;
3)继续缓缓下降,直至旋转定位块与旋转定位座限位接触,下位定位;
4)调整抓取装置旋转方向,抓取装置旋转至放盘位置;
5)将装置缓缓升起,抓取装置抓钩托起晶圆托盘,直至升降限位块与转盘接触,上位定位,此时晶圆托盘脱离加热盘上表面;
6)继续降装置升起,抓取装置带动定位底座升起,离开腔体上表面,定位销完全脱出定位孔后,可将晶圆托盘运出腔体范围,完成取盘动作。
相对现有技术,本发明具有以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造