[发明专利]晶圆承载组件、晶圆传递装置及晶圆传递之方法在审
申请号: | 202010587218.7 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN113838787A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 王燚 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 组件 传递 装置 方法 | ||
本发明揭露一种用于反应腔中的晶圆承载组件,其包含:一加热板,固接有用于站立在反应腔底部的复数个支撑脚;一顶针托盘,垂直升降于该加热板下方,且固接有垂直升降于该加热板上方的复数个顶针,该顶针托盘配置成和一机械手臂的一手指互动而升降于该加热盘的下方。
技术领域
本发明涉及一种传递晶圆的装置与方法,尤其是在特殊的环境腔室中,能以保持稳定且简易的作动方式与配置组合来传递晶圆。
背景技术
随着新技术的发展,半导体芯片的应用越来越广泛,半导体芯片的产量与种类越来越多。因此,各类半导体芯片生产相关设备的种类、功能以及要求也变得越来越多。对于半导体芯片制程之一的晶圆表面反应,反应时需要将晶圆放置在真空、高温等特殊环境的反应腔室内部,因此稳定、高效的将晶圆从大气环境传递至沉积需要的特殊环境的反应腔室,对于半导体晶圆表面反应设备是很重要的。
所以说,如何能在这特殊环境的反应腔室中进行传递晶圆是为一大课题,目前常见的传递晶圆发生的问题有,(一)传递晶圆的配置方式会影响反应腔室的流体及热场分布不均;(二)传递晶圆的配置大多使用复数个致动器,其震动会导致组件之间互相摩擦,进而产生微粒于反应腔室之间,影响腔室中的洁净度,最后导致晶圆处理制程中受到污染,如薄膜沉积等,更甚至晶圆受损影响良率;(三)传递晶圆配置的组件复杂化,当传递设备中的部分组件发生问题时,如晶圆传递过中发生误差,此时组件无法轻易的更换,更甚需要整台设备进行维修,造成设备制造停摆,影响生产效率。
因此,有必要发展能提高传片稳定度的晶圆传递装置及其传递方法。
发明内容
为解决上述之问题,本发明利用能够与机器臂进行垂直作动的晶圆承载组件来达到晶圆传递,无需在反应腔室中额外地配置致动装置,以简易的配置组件,来达到微粒产生的减少。
据上,本发明目的在于提供了一种晶圆传递装置,包含:至少一反应腔,具有一晶圆承载组件;及至少一传片腔,设置有至少一个以上的机械臂,该机械臂具有至少一第一手指与至少一第二手指,其中该第一手指的操作水平高于该第二手指的操作水平。其中,该晶圆承载组件配置成能够和该第一手指和该第二手指互动,使该第一手指和该第二手指在该反应腔中分别以各自的操作水平同时和该晶圆承载组件配合,以将一晶圆放置于该晶圆承载组件。
本发明另一目的在于提供一种用于反应腔中的晶圆承载组件,包含:一加热板,固接有用于站立在反应腔底部的复数个支撑脚;及一顶针托盘,垂直升降于该加热板下方,且固接有垂直升降于该加热板上方的复数个顶针,该顶针托盘配置成和一机械手臂的一手指互动而升降于该加热盘的下方。
本发明又一目的在于提供一种晶圆传递方法,包含:在一反应腔内提供上述晶圆承载组件;提供一第一手指和一第二手指,该第一手指的操作水平高于该第二手指的操作水平;利用该第一手指承载一晶圆,并移动至该晶圆承载组件上方;将该第二手指移动至该反应腔该晶圆承载组件的顶针托盘下方;将该第二手臂升起并抬升该顶针托盘,使该复数个顶针升高至该加热盘的上方撑起该第一手指上的该晶圆;将该第一手指从该反应腔收回;将该第二手指下降使该顶针托盘和该复数个顶针同部落下,使该晶圆坐落于该加热板上;将该第二手指从该反应腔收回。
本发明尚一目的在于提供一种晶圆传递方法,包含:在一反应腔内提供上述晶圆承载组件;提供一第一手指和一第二手指,该第一手指的操作水平高于该第二手指的操作水平;将该第二手指移动至该晶圆承载组件之顶针托盘下方;将该第二手指升起并抬升该顶针托盘和该复数个顶针,使该复数个顶针撑起该加热板上的一晶圆;将该第一手指移动至被撑起的该晶圆与该加热盘之间;将该第二手指下降使该顶针托盘和该复数个顶针同步落下,让该晶圆坐落于该第一手指上;将承载有该晶圆的该第一手指从该反应腔收回;将该第二手指从该反应腔收回。
附图说明
图1显示为本发明之晶圆传递装置立体图。
图2显示为本发明之晶圆传递装置剖面图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造