[发明专利]基板处理设备在审
申请号: | 202010587288.2 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112309899A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 郑元基;李主日;张夏硕 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
分隔壁,在其中具有排气管线;
基板支撑单元,其包括在分隔壁中;
处理单元,其设置在基板支撑单元上方;
排气单元,其连接到基板支撑单元与处理单元之间的反应空间;以及
排气端口,其连接到排气单元的至少一部分,
其中,所述排气端口配置为连接排气单元和分隔壁内部的排气管线。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,连接到所述反应空间的排气空间限定在排气单元中。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,所述排气单元包括限制反应空间的侧部的阻挡壁。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中,所述排气单元还包括:
外壁,其平行于阻挡壁设置;以及
连接壁,其延伸以连接阻挡壁和外壁。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,所述连接壁在排气单元和处理单元之间提供接触表面。
6.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:
第一表面和第二表面,
其中,所述排气管线沿着第一表面和第二表面之间的边缘延伸。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:
支撑部,其配置为支撑所述处理单元和排气单元,
其中,所述支撑部设置在排气端口和分隔壁之间。
8.根据权利要求7所述的基板处理设备,其中,所述支撑部包括连接排气端口和排气管线的路径。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述路径的截面积与所述排气管线的截面积相同。
10.根据权利要求7所述的基板处理设备,还包括:
密封构件,其设置在所述支撑部和分隔壁之间。
11.根据权利要求7所述的基板处理设备,还包括:
气体流动控制环,其设置在所述支撑部上。
12.根据权利要求11所述的基板处理设备,其中,所述气体流动控制环设置在所述支撑部与基板支撑单元之间,以与基板支撑单元间隔开。
13.根据权利要求11所述的基板处理设备,其中,所述气体流动控制环设置成在支撑部上可滑动。
14.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述排气端口包括沿朝向排气单元的第一方向和不同于第一方向的第二方向延伸的通道。
15.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述排气单元延伸以围绕所述反应空间,并且
所述排气端口设置成与排气单元的一部分圆周连通。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备,其中,经由所述处理单元供应到反应空间的中心的气体径向分布以朝向排气单元移动,并且
气体沿着排气单元的内空间移动并通过排气端口排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造