[发明专利]基板处理设备

说明书

一种具有改进的排气结构的基板处理设备包括：在处理单元和基板支撑单元之间形成的反应空间；围绕反应空间的排气单元；在内部具有通道的排气端口；在内部具有排气管线的分隔壁，其中排气端口的通道连接排气单元和排气管线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月30日在美国专利商标局提交的美国临时专利申请号62/880622的权益，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排气结构的基板处理设备。

背景技术

在半导体沉积处理中，与热处理相比，可以在低温下执行等离子体处理，因此可以减少对半导体器件的热冲击。此外，随着施加到半导体沉积设备的热冲击减小，可以提高设备的耐用性和组成部件的寿命，因此等离子体处理被应用于许多过程。

在使用等离子体的沉积处理中，通过向供应到反应空间的反应气体施加RF功率以使反应气体离子化来产生等离子体。离子化的反应气体被激活以与基板反应，从而在基板上形成薄膜。韩国专利公开号10-2019-0032077和韩国专利号10-1680379公开了使用等离子体的上述沉积处理。

韩国专利公开号10-2019-0032077公开了一种原子层沉积系统，作为使用等离子体的沉积处理。详细地，该文献公开了的原子层沉积系统具有通过连接到泵管的泵将反应室内的气体排出的结构。为了尽可能提高等离子体处理的效率，需要在反应空间中的基板上产生等离子体。然而，在除反应空间以外的区域例如排气管线中产生的寄生等离子体可能导致反应空间中的等离子体处理的效率降低。

发明内容

一个或多个实施例包括一种基板处理设备，其可以防止在反应空间以外的区域比如排气空间中产生寄生等离子体。

一个或多个实施例包括具有排气结构的基板处理设备，该排气结构通过减小排气空间的体积来实现有效的排出。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：分隔壁，在其中具有排气管线；基板支撑单元，其包括在分隔壁中；处理单元，其设置在基板支撑单元上方；排气单元，其连接到基板支撑单元与处理单元之间的反应空间；以及排气端口，其连接到排气单元的至少一部分，其中，所述排气端口配置为连接排气单元和分隔壁内部的排气管线。

连接到反应空间的排气空间可以限定在排气单元中。

排气单元可以包括限制反应空间的侧部的阻挡壁。

排气单元还可以包括：外壁，其平行于阻挡壁设置；以及连接壁，其延伸以连接阻挡壁和外壁。

连接壁可以在排气单元和处理单元之间提供接触表面。

基板处理设备还可以包括第一表面和第二表面，其中，所述排气管线沿着第一表面和第二表面之间的边缘延伸。

基板处理设备还可以包括支撑部，其配置为支撑处理单元和排气单元，其中，所述支撑部设置在排气端口和分隔壁之间。

支撑部可以包括连接排气端口和排气管线的路径。

路径的截面积和排气管线的截面积可以相同。

基板处理设备还可以包括设置在支撑部和分隔壁之间的密封构件。

基板处理设备还可包括设置在支撑部上的气体流动控制环。

气体流动控制环可以设置在支撑部和基板支撑单元之间，以与基板支撑单元间隔开。

气体流动控制环可以设置成在支撑部上可滑动。