[发明专利]混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法

权利要求书

1.一种微电子结构，包括：

衬底接合层，所述衬底接合层包括：

复合介电层，所述复合介电层包括有机介电材料和无机填充材料；以及

所述复合有机介电层内的一个或多个导电衬底互连结构；以及

管芯，所述管芯包括管芯接合层，所述管芯接合层包括：

管芯介电层；以及

所述管芯介电层内的一个或多个导电管芯互连结构，其中所述管芯接合层与所述衬底接合层直接接触，并且其中所述一个或多个导电衬底互连结构中的至少一个与所述一个或多个导电管芯互连结构中的至少一个直接接触。

2.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述导电管芯互连结构或所述导电衬底互连结构中的至少一个在垂直于所述衬底接合层和所述管芯接合层之间的接合界面的方向上具有比所述复合有机介电层的热膨胀系数（CTE）大至少30%的CTE。

3.如权利要求1所述的微电子结构，进一步包括与所述复合介电层直接接触并且与所述管芯介电层直接接触的涂层。

4.如权利要求3所述的微电子结构，其中所述涂层具有在10nm和1600nm之间的厚度。

5.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述有机介电材料包括环氧材料或旋涂玻璃材料中的一种或多种，并且其中所述无机填充材料包括硅石、倍半硅氧烷材料、氮化硅、碳化硅、氧化铝或金刚石中的一种或多种，并且其中所述有机介电材料包括按重量计大约70%至按重量计大约95%之间的所述无机填充材料。

6.如权利要求５所述的微电子结构，其中所述管芯介电层包括无机介电材料。

7.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述无机填充材料的至少一部分与所述管芯接合层的所述无机介电层共价接合。

8.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述一个或多个导电管芯互连结构包括邻近第二导电管芯互连结构的第一导电管芯互连结构，其中所述第一导电管芯互连结构和所述第二导电管芯互连结构之间的间距小于50微米。

9.如权利要求1所述的微电子结构，其中所述衬底接合层的顶表面、所述管芯接合层的顶表面和所述一个或多个导电管芯互连结构的顶表面以及所述一个或多个导电管芯互连结构不含焊料，并且不含底部填充材料。

10.一种微电子结构，包括：

封装衬底；

所述封装衬底上的介电层，其中所述介电层的至少一部分在有机介电材料内包括无机填充材料；

所述有机介电层内的一个或多个导电衬底互连结构；

管芯，所述管芯包括管芯接合层，所述管芯接合层包括：

管芯介电层；以及

所述管芯介电层内的一个或多个导电管芯互连结构，其中所述管芯接合层直接在所述介电层上，其中所述一个或多个导电衬底互连结构直接在所述一个或多个导电管芯互连结构上。

11.如权利要求10所述的微电子结构，其中所述管芯介电层包括管芯有机介电材料，其中无机填充材料在所述管芯有机介电材料内，并且其中所述介电层包括有机介电材料，其中无机填充材料在所述有机介电材料内。

12.如权利要求10所述的微电子结构，其中所述介电层包括：包括有机介电材料的第一部分，其中无机填充材料在所述有机介电材料的所述第一部分内；以及包括不含无机填充材料的无机介电材料的第二部分，其中所述第二部分共价接合到所述管芯介电层，并且其中所述第一部分的所述无机填充材料共价接合到所述管芯介电层。

13.如权利要求12所述的微电子结构，其中所述第一部分包括按重量计70%至按重量计95%之间的所述无机填充材料。