[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备相互连接的第1芯片及第2芯片、以及设置在所述第1芯片及第2芯片的至少一者的第1电源电极及第2电源电极，

所述第1芯片具备：

多个第1导电层，沿第1方向排列；

半导体柱，沿所述第1方向延伸，且与所述多个第1导电层对向；

多个第1接点，沿所述第1方向延伸，且连接于所述多个第1导电层；

多个第2接点，沿所述第1方向延伸，且连接于所述第1电源电极；

多个第3接点，沿所述第1方向延伸，且连接于所述第2电源电极；及

多个第1贴合电极，经由所述多个第1接点连接于所述多个第1导电层；

所述第2芯片具备：

半导体衬底，具有与所述第1方向交叉的表面；

多个晶体管，设置在所述半导体衬底的表面；

多个第4接点，沿所述第1方向延伸，且连接于所述多个晶体管；及

多个第2贴合电极，经由所述多个第4接点连接于所述多个晶体管；

所述第1芯片及所述第2芯片是以所述多个第1贴合电极与所述多个第2贴合电极对向的方式配置，所述多个第1贴合电极连接于所述多个第2贴合电极，且

所述多个第2接点与所述多个第3接点对向。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个第2接点及所述多个第3接点在所述第1方向上的长度比所述多个第4接点在所述第1方向上的长度大。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1电源电极能够对所述多个晶体管供给第1电压，

所述第2电源电极能够对所述多个晶体管供给第2电压，且

所述第2电压大于所述第1电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1芯片具备比所有所述多个第1导电层更远离所述半导体衬底的绝缘层，且

所述多个第2接点及所述多个第3接点的所述第1方向的一端连接于所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1芯片具备比所述多个第1导电层更远离所述半导体衬底的配线层，且

所述多个第2接点及所述多个第3接点的所述第1方向的一端连接于所述配线层中的配线。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1芯片具备比所述多个第1导电层更远离所述半导体衬底的半导体层，且

所述多个第2接点及所述多个第3接点的所述第1方向的一端连接于所述半导体层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述第1芯片具备：

第1区域，设置所述半导体柱；

第2区域，设置所述多个第1接点及所述多个第1贴合电极；及

第3区域，设置所述多个第2接点及所述多个第3接点；

所述第2芯片具备：

第4区域，与所述第1区域对向；及

第5区域，与所述第2区域对向，且包含所述多个第2贴合电极及连接于所述多个第1接点的多个所述晶体管；

所述第2区域的面积比所述第5区域的面积小，且

所述第3区域的一部分与所述第5区域的一部分对向。