[发明专利]可提供吹扫气体的晶圆处理装置在审
| 申请号： | 202010588838.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838770A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谭华强 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提供 气体 处理 装置 | ||
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包含：
一或多个处理站，所述处理站包含一上盖、一隔离环及一喷淋组件，其中该隔离环安置于该上盖与该喷淋组件之间，其特征在于该上盖、该隔离环及该喷淋组件共同形成所述处理站的一吹扫气体路径，该吹扫气体路径用于形成一流动帘于该处理站。
2.按照权利要求1所述之晶圆处理装置，其特征在于，更包括：
一分配器，连接所述处理站，该分配器传输一第一气体，以使该第一气体经由该吹扫气体路径至所述处理站；以及
一第一加热器，连接该分配器，该第一加热器于该第一气体被传输至所述处理站前将加热。
3.按照权利要求1所述之晶圆处理装置，其特征在于：其中该吹扫气体路径包含：
一第一连接路径，横向延伸于该上盖中；
一第一扩散通道，连通该第一连接路径并环绕该隔离环；
一第二扩散信道，环绕该喷淋组件；
一第二连接路径，连通该第一扩散通道与该第二扩散通道；
一第三连接路径，连通该第二扩散通道与所述处理站的一处理区域。
4.按照权利要求3所述之晶圆处理装置，其特征在于：其中该第一扩散通道由该上盖和该隔离环定义而形成，该第二扩散通道由该隔离环和该喷淋组件定义而形成，该第一扩散通道的水平高度高于该第二扩散通道的水平高度。
5.按照权利要求1所述之晶圆处理装置，其特征在于：其中该第一加热器连接于该分配器的上游或下游。
6.按照权利要求1所述之晶圆处理装置，其特征在于：其中该第一气体为惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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