[发明专利]可提供吹扫气体的晶圆处理装置

说明书

本发明公开了一种晶圆处理装置，包含：一或多个处理站，所述处理站包含一上盖、一隔离环及一喷淋组件，其中该隔离环安置于该上盖与该喷淋组件之间，其特征在于该上盖、该隔离环及该喷淋组件共同形成所述处理站的一吹扫气体路径，该吹扫气体路径用于形成一流动帘于该处理站。

技术领域

本发明系关于一种晶圆处理装置，特别系关于一种可经由腔体上部将吹扫气体导入晶圆处理区域或其周围形成流动帘。

背景技术

已知的半导体处理设备中，多站式处理腔体为针对提高半导体产能而设计。所述多站式处理腔体是一种具有多个处理站的单一腔体，这些站环绕着一机械手转盘且这些站彼此可流体连通。各站有各自的喷淋组件、抽气系统及加热组件等，使得这些站可独立进行特定的处理或者共同进行相同的处理，使生产效率优化。一般在进行晶圆制程的过程中，需要将特定气体(例如惰性气体)传输至晶圆所在的腔室中，以实现不同的处理，像是通用于平衡腔体之间压力的非反应气体，或者可通入用于隔绝腔体之间气流的吹扫气体。

一般腔体的设计，在腔体的顶部和喷淋组件中包含大量的组件，其拥挤于腔体的顶部，因此用于提供吹扫气体的路径难以被整合至已知的设计中。所述多站式处理腔体为了处理需求，一般而言需要使用吹扫气体于站与站之间设下障碍，像是流动帘(flowcurtain)，以防止进行不同处理的相邻站产生物质干扰，降低产品良率。

有鉴于此，将需要发展一种可将吹扫气体路径整合至一般晶圆处理装置的设计。

发明内容

为了解决上述问题，本发明之一构想在于提供一种晶圆处理装置，包含：一或多个处理站，所述处理站包含一上盖、一隔离环及一喷淋组件，其中该隔离环安置于该上盖与该喷淋组件之间，其特征在于该上盖、该隔离环及该喷淋组件共同形成所述处理站的一吹扫气体路径，该吹扫气体路径用于形成一流动帘于该处理站。

于本发明之一较佳实施例中，晶圆处理装置更包括：一分配器，连接所述处理站，该分配器传输一第一气体，以使该第一气体经由该吹扫气体路径至所述处理站；以及一第一加热器，连接该分配器，该第一加热器于该第一气体被传输至所述处理站前将加热。

于本发明之一较佳实施例中，该吹扫气体路径包含：一第一连接路径，横向延伸于该上盖中；一第一扩散通道，连通该第一连接路径并环绕该隔离环；一第二扩散信道，环绕该喷淋组件；一第二连接路径，连通该第一扩散通道与该第二扩散通道；及一第三连接路径，连通该第二扩散通道与所述处理站的一处理区域。

于本发明之一较佳实施例中，该第一扩散通道由该上盖和该隔离环定义而形成，该第二扩散通道由该隔离环和该喷淋组件定义而形成，该第一扩散通道的水平高度高于该第二扩散通道的水平高度。

于本发明之一较佳实施例中，该第一加热器连接于该分配器的上游或下游。

于本发明之一较佳实施例中，该第一气体为惰性气体。

本发明前述各方面及其它方面依据下述的非限制性具体实施例详细说明以及参照附随的图式将更趋于明了。

附图说明

图1为本发明晶圆处理装置一具体实施例。

图2为本发明晶圆处理装置其中一站的剖面图。

图3为本发明晶圆处理装置的局部剖面图，其显示喷淋组件与腔体上盖的关系。

图4为本发明晶圆处理装置配置于顶部的分配器与加热器一具体实施例。

图5为本发明晶圆处理装置配置于顶部的分配器与加热器另一具体实施例。

具体实施方式