[发明专利]半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一层间介电层，形成于所述半导体衬底上；

第二层间介电层，形成于所述第一层间介电层上；

接触插塞，填充于贯穿所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的接触孔中，与所述半导体衬底接触；

其中，所述第一层间介电层的材质包括氧化物，所述第二层间介电层的材质包括氮化物。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化物为氧化硅，所述氮化物为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一层间介电层的厚度大于所述第二层间介电层的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二层间介电层的厚度为1纳米至1000纳米。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

电容器图案，形成在所述第一层间介电层内，与所述半导体衬底接触；所述电容器图案的顶表面与所述第一层间介电层的顶表面平齐。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底包括晶体管图案。

7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的上方沉积第一层间介电层；

在所述第一层间介电层的上方沉积第二层间介电层；

形成贯穿所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的接触孔；

在所述接触孔中填充接触插塞；

其中，所述第一层间介电层的材质包括氧化物，所述第二层间介电层的材质包括氮化物。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物为氧化硅，所述氮化物为氮化硅。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一层间介电层的厚度大于所述第二层间介电层的厚度。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二层间介电层的厚度为1纳米至1000纳米。

11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底的上方沉积第一层间介电层的步骤包括：

在所述半导体衬底的上方形成电容器图案；

在包括所述电容器图案的半导体衬底上方沉积第一层间介电层；

对所述第一层间介电层进行平坦化，直至所述电容器图案的顶表面与所述第一层间介电层的顶表面平齐。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，提供半导体衬底的步骤包括在半导体衬底中形成晶体管图案。

13.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构。

14.一种电子设备，其特征在于，包括：

如权利要求13所述的半导体存储器。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。