[发明专利]半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备

说明书

本公开提供一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体衬底；第一层间介电层，形成于所述半导体衬底上；第二层间介电层，形成于所述第一层间介电层上；接触插塞，填充于贯穿所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的接触孔中，与所述半导体衬底接触；其中，所述第一层间介电层的材质包括氧化物，所述第二层间介电层的材质包括氮化物。该半导体结构，通过在包括氧化物的层间介电层上覆盖包括氮化物的层间介电层，减少了刻蚀接触孔时产生的开口弯曲现象，避免了接触孔尺寸的增加，使精细化持续，进而提高了半导体器件制作的稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构、其制作方法、半 导体存储器及电子设备。

背景技术

如图1所示的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory， DRAM)的接触孔(Metal Contact，MC)，是采用现有的制造方法制造的。如图 1所示，半导体衬底中包括晶体管，在所述半导体衬底上形成电容器 (Capacitor)后涂抹氧化硅(如，SiO₂)系列的ILD(层间介电层)A后，采 用化学机械平坦化(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺实现平坦化后， 再涂抹SiO₂系列的ILD B后，通过利用光阻(Photo Resist，PR)进行光刻 和刻蚀工艺形成MC的图案。

随着半导体器件集成度的增加，用于其中电路互连的接触孔MC的深度越 来越深，并且开口尺寸也越来越小。对于这种情况，为了得到细长的接触孔， 需要采用高强度的刻蚀工艺，但这会导致接触孔的入口处发生弯曲(Contact Bowing)现象，而这进一步导致接触孔尺寸的增加，降低了接触孔的精细化程 度。

发明内容

本公开的目的是提供一种半导体结构、一种半导体结构的制作方法、一种 半导体存储器及一种电子设备。

本公开第一方面提供一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一层间介电层，形成于所述半导体衬底上；

第二层间介电层，形成于所述第一层间介电层上；

接触插塞，填充于贯穿所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的接触 孔中，与所述半导体衬底接触；

其中，所述第一层间介电层的材质包括氧化物，所述第二层间介电层的材 质包括氮化物。

本公开第二方面提供一种半导体结构的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的上方沉积第一层间介电层；

在所述第一层间介电层的上方沉积第二层间介电层；

形成贯穿所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的接触孔；

在所述接触孔中填充接触插塞；

其中，所述第一层间介电层的材质包括氧化物，所述第二层间介电层的材 质包括氮化物。

本公开第三方面提供一种半导体存储器，包括：

如第一方面中所述的半导体结构。

本公开第四方面提供一种电子设备，包括：

如第三方面中所述的半导体存储器。

本公开与现有技术相比的优点在于：

本公开提供的半导体结构，通过在包括氧化物的层间介电层上覆盖包括氮 化物的层间介电层，减少了刻蚀接触孔时产生的开口弯曲现象，避免了接触孔 尺寸的增加，使精细化持续，进而提高了半导体器件制作的稳定性。

附图说明