[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010588927.7 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112216718A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 白炅旼;申相原;申铉亿;李周炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板,限定从所述基板的顶表面凹陷的凹入部分;
下导电层,在所述凹入部分中;
上导电层,连接到所述下导电层;
绝缘层,在所述下导电层与所述上导电层之间,并且在所述绝缘层中限定有接触孔,所述上导电层在所述接触孔处连接到所述下导电层;
薄膜晶体管,在所述基板上,并且包括半导体层和在所述半导体层上的栅电极;以及
显示元件,连接到所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述绝缘层包括层间绝缘层,所述层间绝缘层在所述上导电层与所述栅电极之间,并且在所述层间绝缘层中限定有所述接触孔。
3.根据权利要求2所述的显示设备,进一步包括:
中间导电层,在所述接触孔内,所述中间导电层将所述上导电层与所述下导电层彼此连接。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,
所述绝缘层进一步包括栅极绝缘层,所述栅极绝缘层在所述层间绝缘层与所述栅电极之间,并且在所述栅极绝缘层中限定有所述接触孔的第一接触孔部分,
所述层间绝缘层限定所述接触孔的第二接触孔部分,所述第二接触孔部分连接到所述第一接触孔部分,并且
在所述接触孔处,
所述下导电层和所述中间导电层在所述第一接触孔部分彼此连接,并且
所述上导电层和所述中间导电层在所述第二接触孔部分彼此连接。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述上导电层限定所述栅电极。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述下导电层对应于所述薄膜晶体管的所述半导体层的位置。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
在所述接触孔内,所述上导电层直接连接到所述下导电层。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述基板包括:
基底层,包括聚合物树脂,以及
阻挡层,包括无机材料,所述阻挡层比所述基底层更靠近所述薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,
所述阻挡层的顶表面限定所述基板的所述顶表面,
所述凹入部分从所述阻挡层的所述顶表面在朝向所述基底层的方向上凹陷,并且
所述凹入部分的底部对应于所述基底层的顶表面。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其中,
所述阻挡层的顶表面限定所述基板的所述顶表面,并且
所述凹入部分包括:
开口,从所述阻挡层的所述顶表面延伸,并且被限定为穿过所述阻挡层的厚度;以及
凹陷,从所述基底层的顶表面延伸,并且连接到所述开口。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述基板的所述顶表面与所述下导电层的顶表面共面。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述基板包括玻璃。
13.一种显示设备,包括:
基板,限定从所述基板的顶表面凹陷的凹入部分;
下导电层,在所述凹入部分中;
绝缘层,在所述基板上,并且在所述绝缘层中与所述下导电层相对应地限定有接触孔;
薄膜晶体管,在所述基板上,并且连接到所述下导电层,所述薄膜晶体管包括半导体层和在所述半导体层上的栅电极;以及
显示元件,连接到所述薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的