[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010588990.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111739795B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何艳;王京;蒋中伟;陈国动 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
预刻蚀步骤，向刻蚀腔室内通入第一工艺气体，并开启上射频电源和下射频电源，对多晶硅栅极顶部表面进行刻蚀；所述上射频电源和所述下射频电源皆输出连续波；其中，所述多晶硅栅极为双掺杂的多晶硅栅极；
掺杂刻蚀步骤，停止向所述刻蚀腔室内通入所述第一工艺气体，并通入第二工艺气体，对所述多晶硅栅极进行刻蚀；所述上射频电源输出连续波，所述下射频电源输出脉冲波；
主刻蚀步骤，通入第三工艺气体，对所述多晶硅栅极继续刻蚀，直至达到指定刻蚀深度，且在刻蚀过程中在所述多晶硅栅极的顶部沉积形成保护层，以获得指定图案；
过刻蚀步骤，停止向所述刻蚀腔室内通入所述第三工艺气体，并通入第四工艺气体，以对具有所述指定图案的多晶硅栅极继续刻蚀，直至达到目标刻蚀深度，以获得目标图案。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括四氟甲烷。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂刻蚀步骤中，所述下射频电源的占空比的取值范围为10％～25％。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括六氟化硫和二氟甲烷。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂刻蚀步骤中，自所述多晶硅栅极顶部向下刻蚀至所述多晶硅栅极总厚度的三分之一位置处。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂刻蚀步骤中，所述上射频电源的功率与所述下射频电源的功率的比值的取值范围为0.8～1.2。
7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述指定刻蚀深度为所述多晶硅栅极总厚度的70％～80％。
8.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三工艺气体包括六氟化硫和二氟甲烷，其中，所述六氟化硫用作刻蚀气体，所述二氟甲烷用作沉积气体。
9.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤中，通过调节所述六氟化硫和所述二氟甲烷的比例来控制所述多晶硅栅极侧壁的陡直程度。
10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第四工艺气体包括溴化氢和/或氧气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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