[发明专利]初始控制电压产生电路

权利要求书

1.一种初始控制电压产生电路，其特征在于，包括：预充电电路以及低通滤波器，其中：

所述预充电电路的输出端与所述低通滤波器的输入端耦接，所述预充电电路包括：分压电路以及开关电路，其中：

所述分压电路，包括第一分压单元和第二分压单元；所述第一分压单元的第一端输入预设的电源电压，所述第一分压单元的第二端与所述第二分压单元的第一端耦接；所述第二分压单元的第一端为所述分压电路的电压输出端且与所述开关电路的第一端耦接，所述第二分压单元的第二端接地；所述第二分压单元包括一PMOS管以及一NMOS管，且所述PMOS管与所述NMOS管串联组成等效二极管电路；

所述开关电路，其第二端为所述预充电电路的输出端，其控制端输入第一开关信号；

所述低通滤波器的输出端与压控振荡器耦接，包括电容；所述电容在所述开关电路导通时充电，在充电完成时所述低通滤波器的输出端输出所述初始控制电压。

2.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述第二分压单元包括：第一PMOS管以及第一NMOS管，其中：

所述第一PMOS管，其源极与所述第二分压单元的第一端耦接，其漏极与其栅极耦接并与所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极均耦接，其栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接；

所述第一NMOS管，其栅极与其漏极耦接，其源极接地。

3.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述第二分压单元包括：第一PMOS管以及第一NMOS管，其中：

所述第一NMOS管，其漏极与所述第二分压单元的第一端耦接，其源极与所述第一PMOS管的源极均耦接，其栅极与其漏极耦接；

所述第一PMOS管，其栅极与其漏极耦接，其漏极接地。

4.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述第一分压单元包括：第二PMOS管以及第一电阻，其中：

所述第二PMOS管，源极与所述第一分压单元的第一端耦接，栅极输入控制其开关的第二开关信号，漏极与所述第一电阻的第一端耦接；所述第一开关信号与所述第二开关信号反相；

所述第一电阻，第二端与所述第一分压单元的第二端耦接。

5.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述第一分压单元包括：电流源电路；所述电流源电路的第一端与所述第一分压单元的第一端耦接，其第二端与所述第一分压单元的第二端耦接。

6.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述开关电路包括：第二NMOS管；所述第二NMOS管的漏极与所述第二分压单元的第一端耦接，其栅极输入所述第一开关信号，其源极与所述低通滤波器的输入端耦接。

7.如权利要求1所述的初始控制电压产生电路，其特征在于，所述低通滤波器，包括：第二电阻、第一电容以及第二电容，其中：

所述第二电阻，其第一端与所述低通滤波器的输入端、所述第一电容的第一端耦接，其第二端与所述低通滤波器的输出端耦接；

所述第一电容，其第二端接地；

所述第二电容，其第一端与所述低通滤波器的输出端耦接，其第二端接地。