[发明专利]LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板

权利要求书

1.一种LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅有源层，在所述缓冲层上形成覆盖多晶硅有源层的栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层；

步骤S2、采用酸性试剂刻蚀所述栅极金属层的表面，形成凹凸不平的表面，在该凹凸不平的表面上涂布光阻图案，采用酸性试剂刻蚀有光阻图案的栅极金属层的两侧，刻蚀出准栅极，然后用风刀干燥所述准栅极和所述光阻图案，以所述准栅极为遮蔽层，对所述多晶硅有源层两端没有被所述准栅极遮盖的部分进行N型离子重掺杂，形成多晶硅有源层两端的源/漏极接触区；

步骤S3、采用光罩对所述准栅极进行干刻，使所述准栅极两侧被横向蚀刻而宽度减小，形成栅极，以所述栅极为遮蔽层，对所述多晶硅有源层两端没有被栅极遮盖的部分进行N型离子轻掺杂，得到多晶硅有源层中部的对应位于所述栅极下方的沟道区以及所述源/漏极接触区和沟道区之间的轻掺杂区，剥离去除所述光阻图案。

2.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中所述酸性试剂为硝酸和磷酸混合溶液。

3.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中凹凸不平的表面的深度为

4.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，凹凸不平的表面为波浪形或锯齿形。

5.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，对所述多晶硅有源层进行离子重掺杂时的掺杂离子浓度为1x10¹⁴ions/cm²。

6.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，对所述多晶硅有源层进行离子轻掺杂时的掺杂离子浓度为1x10¹²至1x10¹³ions/cm²范围内。

7.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，所述多晶硅有源层的材料为金属氧化物，其中，所述源极接触区和所述漏极接触区均为导电性金属氧化物，所述沟道区为保持半导体特性的金属氧化物。

8.根据权利要求1所述的LTPS TFT基板的制造方法，其特征在于，还包括：

步骤S4、在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极的层间绝缘层，在所述层间绝缘层形成源极和漏极，在所述层间绝缘层上形成钝化层，在所述钝化层形成像素电极，其中，所述源极与所述源极接触区电性连接，所述漏极与所述漏极接触区电性连接，所述像素电极通过像素过孔与所述漏极电性连接。

9.一种LTPS TFT基板，所述LTPS TFT基板采用如权利要求1至8任一所述的LTPS TFT基板的制造方法制备而成，其特征在于，包括衬底基板、设于衬底基板上的缓冲层、设于缓冲层上的多晶硅有源层、设于所述多晶硅有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、在所述栅极绝缘层上覆盖所述栅极的层间绝缘层及设于所述层间绝缘层上的源/漏极；所述多晶硅有源层具有位于两端的源/漏极接触区、位于中间的沟道区及位于源/漏极接触区与沟道区之间的轻掺杂区；所述栅极远离所述多晶硅有源层的一侧设置有凹凸不平的表面。

10.根据权利要求9所述的LTPS TFT基板，其特征在于，所述源/漏极接触区的掺杂N离子浓度为1x10¹⁴ions/cm²，所述轻掺杂区的掺杂N离子浓度为1x10¹²至1x10¹³ions/cm²范围内。