[发明专利]LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板

说明书

本申请实施例提供一种LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板，本申请中采用酸性试剂刻蚀所述栅极金属层的表面，形成凹凸不平的表面，在该凹凸不平的表面上涂布光阻图案，增加光阻图案与栅极金属层的附着力，采用酸性试剂刻蚀有光阻图案的栅极金属层的两侧，刻蚀出准栅极，然后用风刀干燥准栅极和光阻图案，光阻图案不会被吹掉，以准栅极为遮蔽层，对多晶硅有源层两端没有被准栅极遮盖的部分进行N型离子重掺杂，由于存在光阻图案的保护，等离子体掺杂过程不会刻蚀掉栅极图案，既能节约一道光罩成本，又能保护栅极的完整性，从而提升LTPS TFT基板制程良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS TFT基板的制造方法及LTPS TFT基板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。

目前NP MASK技术制作LTPS阵列基板的有源层时，多晶硅有源层中重掺杂区需要一次光罩，多晶硅有源层中轻掺杂区还需要一次光罩，总共需要两次光罩，Re-etch MASK技术与上述NP MASK技术相比，在图案化形成多晶硅有源层后，不通过光阻图案对有源层进行重掺杂，而是对栅极金属层进行两次蚀刻，以第一次蚀刻后的栅极金属图案来定义重掺杂的源/漏极接触区域，以第一次蚀刻后的栅极金属图案为遮蔽层，向多晶硅有源层两端进行重掺杂而植入高剂量的N型离子或磷离子P+，接着对第一次蚀刻后的栅极金属图案进行第二次蚀刻得到栅极，以栅极为遮蔽层，向多晶硅有源层两端植入进行轻掺杂而植入低剂量的N型离子或磷离子P+，以形成沟道区和源/漏极接触区之间的轻掺杂区。Re-etch MASK技术的主要优点为减少一道光刻制程，从而降低一道光罩的生产成本和减少LTPS TFT基板的制程时间，提高生产产能。

现有技术中Re-etch MASK技术中，第一次蚀刻后，来充当NP MASK进行离子植入，然而在第一次蚀刻后的栅极金属图案后，由于湿发蚀刻中硝酸和磷酸混合溶液只能蚀刻栅极金属膜层，对光阻层却是无影响，故第一次蚀刻后的栅极金属后，有一部分光阻层悬空，在湿蚀刻机台清洗蚀刻液体的时候，在过机台干燥时候，风刀在吹干基板表面的液体残留时候，一部分悬空光阻层，容易被风刀掀起，甚至被吹掉断裂，造成光阻层缺失，第二次蚀刻后的栅极金属图案无光阻层保护，裸露在外栅极金属图案也被蚀刻吃掉，形成水平断线结构，该处栅级无法传递驱动电路中扫描信号，对应的区域显示为黑色，影响了LTPS TFT基板正常工作，降低LTPS TFT基板色的生产良率的技术问题，需要改进。

发明内容