[发明专利]一种改善方片边缘涂胶风纹的方法

说明书

本发明公开了一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，属于光刻胶涂胶工艺技术领域。该工艺采用了一种密闭型晶圆承片台，使得方片可以在封闭的腔体内进行涂胶工艺。该方法能够使在光刻胶涂覆过程中，方片表面可以均匀的形成一层胶膜，尤其对于8英寸方片，可使得边缘风纹降至5mm以内，使得方片利用率高达99％以上。

技术领域

本发明涉及光刻胶涂胶工艺技术领域，具体涉及一种改善方片边缘涂胶风纹的方法。

背景技术

光刻工艺是整个微电子集成电路制造工艺流程中最重要的工艺步骤，光刻工艺主要包括涂胶、曝光与显影等，随着晶圆尺寸变大和对晶圆利用率的提高，对于涂胶工艺中降低边缘缺陷要求也在提高。

其中，在显示领域OLED产品的迅速发展，使得玻璃基板成为显示面板的重要原材料之一，而玻璃基板中多以方形基片为主，如何提高方片的使用率以及方片表面涂胶均匀性成为制约方片使用的关键因素。

大量研究表明，方片的涂胶均匀性差、利用率低主要来自于方片边缘处所产生的风纹，风纹的起始位置在于方片的内切圆处，内切圆内可获得良好的涂胶均匀性，内切圆外可见环状风纹。风纹的主要成因是由于内切圆外不规则区域所受离心力有差异。

发明内容

为了克服现有技术中存在的上述不足之处，本发明的目的在于提供一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，该方法通过改善涂胶腔体内部环形流场及湿度，加速了光刻胶在方片内切圆外流动效果，从而可以极大的改善方片边缘风纹情况，使得同样工艺条件下方片风纹由20-45mm宽降到5mm以内，方片利用面积可提高至99％以上。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，该方法是针对方片进行涂覆光刻胶的过程中，通过调整涂胶腔体内部环形流场及湿度，加速了光刻胶在方片内切圆外流动效果，从而减小方片边缘风纹面积；该方法具体包括如下步骤：

(1)将方片送入带有密闭腔体的涂胶单元内，采用涂胶喷嘴将光刻胶喷洒于方片中心处，承片台带动方片转动，光刻胶均匀的涂覆在方片表面；

(2)涂胶完成后，将方片送入热板烘烤，完成光刻胶固化。

所述涂胶单元设有密闭腔体，承片台上部设于密闭腔体内，所述密闭腔体包括上盖，上盖通过螺钉与密闭腔体可拆卸连接；密闭腔体的上盖上开有喷胶口，涂胶喷嘴可在喷胶口位置平移并向方片喷洒光刻胶。

所述光刻胶(厚膜光刻胶)的涂布厚度为1～3μm。

步骤(1)中，光刻胶涂覆过程中，涂胶喷嘴平移速度为100～150mm/s，喷胶量为2～5ml，喷胶速度为0.5～2ml/s，方片(承片台)转速500～3500r/min。

步骤(2)中，热板的烘烤温度为90～120℃，烘烤时间为90～120s。

所述方片为8英寸方片时，经所述方法处理后，方片上涂胶风纹宽度小于5mm。

本发明的优点和有益效果如下：

本发明提供了一种针对方片表面涂覆粘度系数小、易挥发的光刻胶的涂胶工艺，采用封闭型腔体，一方面封闭型腔体避免了外界风流影响，加大了腔体内部湿度，使得光刻胶在方片内切圆外流动性更强；另一方面，密闭腔体随方片转动而转动，内部气流也随密闭腔体转动形成环形流场，更加加速光刻胶在方片边缘的流动效果，从而达到改善方片边缘风纹的效果。

附图说明

图1是本发明所用涂胶单元正视示意图。

图2是本发明涂胶腔体俯视示意图。

图3是实施例1结果示意图。

图4是传统涂胶单元示意图。