[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

腔室，在所述腔室中具有处理空间；

基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；

气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和

等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，

其中，所述基板支承单元包括：

支承板，其配置为支承所述基板；

加热单元，其配置为控制所述基板的温度，以及

其中，所述加热单元包括：

多个加热构件，其设置在所述支承板的不同区域中；

加热器电源，其配置为将功率施加至所述多个加热构件；

滤波器，其配置为防止所述多个加热构件与所述RF电源之间的耦合；和

检测单元，其设置在所述多个加热构件与所述滤波器之间，且配置为检测所述支承板的各个区域的等离子体特性。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述检测单元包括：

测量构件，其配置为分别测量所述多个加热构件所位于的区域中的电压和电流；和

控制构件，其配置为基于所述区域中的所述电压和所述电流、来检测所述支承板的所述各个区域的所述等离子体特性。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述检测单元还包括显示构件，所述显示构件配置为显示所述支承板的所述各个区域的所述电压和所述电流。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述显示构件为数字化仪。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述等离子体生成单元基于所述支承板的所述各个区域的所述等离子体特性、来均匀地控制所述支承板的整个区域中的等离子体密度。

6.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

腔室，在所述腔室中具有处理空间；

基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；

气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和

等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，

其中，所述基板支承单元包括：

支承板，其配置为支承所述基板；和

加热单元，其配置为控制所述基板的温度，以及

其中，所述加热单元包括：

多个加热构件，其设置在所述支承板的多个区域中；

加热器电源，其配置为将功率施加至所述多个加热构件；

滤波器，其配置为防止所述多个加热构件与所述RF电源之间的耦合；和

检测单元，其配置为监测所述支承板的所述多个区域的多个RF参数。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述检测单元包括：

多个测量构件，其配置为测量所述支承板的所述多个区域的多个电压和多个电流；和

控制构件，其配置为基于所述多个电压和所述多个电流来检测所述多个区域的所述多个RF参数。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述多个RF参数中的每个包括电压、电流、RF功率、相位或阻抗中的至少一个。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述检测单元还包括显示构件，所述显示构件配置为显示所述支承板的所述多个区域的所述多个电压和所述多个电流。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述显示构件为数字化仪。